插指型SiO<sub>2</sub>电流阻挡层对大功率LED外量子效率的影响

刘梦玲; 高艺霖; 胡红坡; 刘星童; 吕家将; 郑晨居; 丁星火; 周圣军

doi:doi:10.3788/fgxb20173806.0786

发光学报, 2017, 38 (6): 786, 网络出版: 2017-06-30

插指型SiO₂电流阻挡层对大功率LED外量子效率的影响

Effect of Interdigitated SiO₂ Current Blocking Layer on External Quantum Efficiency of High Power LEDs

刘梦玲 ^*高艺霖胡红坡刘星童吕家将郑晨居丁星火周圣军

作者单位

武汉大学动力与机械学院, 湖北武汉 430072

补充材料

刘梦玲, 高艺霖, 胡红坡, 刘星童, 吕家将, 郑晨居, 丁星火, 周圣军. 插指型SiO₂电流阻挡层对大功率LED外量子效率的影响[J]. 发光学报, 2017, 38(6): 786. LIU Meng-ling, GAO Yi-lin, HU Hong-po, LIU Xing-tong, LYU Jia-jiang, ZHENG Chen-ju, DING Xing-huo, ZHOU Sheng-jun. Effect of Interdigitated SiO₂ Current Blocking Layer on External Quantum Efficiency of High Power LEDs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2017, 38(6): 786.