中国激光, 2012, 39 (5): 0502010, 网络出版: 2012-04-13
反射各向异性谱在线监测852 nm半导体激光器AlGaInAs/AlGaAs量子阱的MOCVD外延生长
MOCVD Growth of AlGaInAs/AlGaAs Quantum Well for 852 nm Laser Diodes Studied by Reflectance Anisotropy Spectroscopy
基本信息
| DOI: | 10.3788/cjl201239.0502010 |
| 中图分类号: | TN2 |
| 栏目: | 激光物理 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(10974012,11074247,61106047,61176045,61106068,51172225,61006054)和国家自然科学基金重点项目(90923037)资助课题。 |
| 收稿日期: | 2011-12-29 |
| 修改稿日期: | 2012-02-11 |
| 网络出版日期: | 2012-04-13 |
| 通讯作者: | 徐华伟 (xuhwciomp@163.com) |
| 备注: | -- |
徐华伟, 宁永强, 曾玉刚, 张星, 张建伟, 张建, 张立森. 反射各向异性谱在线监测852 nm半导体激光器AlGaInAs/AlGaAs量子阱的MOCVD外延生长[J]. 中国激光, 2012, 39(5): 0502010. Xu Huawei, Ning Yongqiang, Zeng Yugang, Zhang Xing, Zhang Jianwei, Zhang Jian, Zhang Lisen. MOCVD Growth of AlGaInAs/AlGaAs Quantum Well for 852 nm Laser Diodes Studied by Reflectance Anisotropy Spectroscopy[J]. Chinese Journal of Lasers, 2012, 39(5): 0502010.
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