Photonics Research, 2020, 8 (11): 11001671, Published Online: Oct. 10, 2020   

Efficient emission of InGaN-based light-emitting diodes: toward orange and red Download: 922次

Author Affiliations
National Institute of LED on Silicon Substrate, Nanchang University, Nanchang 330096, China
Basic Information
DOI: 10.1364/PRJ.402555
中图分类号: --
栏目: Optoelectronics
项目基金: National Key Research and Development Program of China10.13039/501100012166(2016YFB0400600)、 National Natural Science Foundation of China10.13039/501100001809( 2016YFB0400601)、 Key Research and Development Program of Jiangxi Province10.13039/501100013064( 11604137)、 Major Special Science and Technology Program of Jiangxi Province( 11674147)、 21405076、 51602141、 61604066、 61704069、 20171BBE50052、 20182ABC28003
收稿日期: Jul. 14, 2020
修改稿日期: Aug. 18, 2020
网络出版日期: Oct. 10, 2020
通讯作者: Jianli Zhang (zhangjianli@ncu.edu.cn)
备注: --

Shengnan Zhang, Jianli Zhang, Jiangdong Gao, Xiaolan Wang, Changda Zheng, Meng Zhang, Xiaoming Wu, Longquan Xu, Jie Ding, Zhijue Quan, Fengyi Jiang. Efficient emission of InGaN-based light-emitting diodes: toward orange and red[J]. Photonics Research, 2020, 8(11): 11001671.

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