发光学报, 2012, 33 (4): 428, 网络出版: 2012-04-16
基于ZnS量子点与聚合物混合层的有机双稳态器件的记忆特性及其载流子传输机制
Memory Effect and Charge-transport Mechanisms of Write-once-read-many-times Bistable Devices Based on ZnS Quantum Dots Embedded in Poly-4-vinyl-phenol Layer
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20123304.0428 |
| 中图分类号: | O626 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(60877029,10904109，60977035，60907021)、天津自然科学基金(11JCYBJC00300，09JCYBJC01400)资助项目 |
| 收稿日期: | 2012-02-12 |
| 修改稿日期: | 2012-02-22 |
| 网络出版日期: | 2012-04-16 |
| 通讯作者: | 吴燕宇 (chinasky301@126.com) |
| 备注: | -- |
吴燕宇, 张晓松, 徐建萍, 牛喜平, 罗程远, 李美惠, 李萍, 石庆良, 李岚. 基于ZnS量子点与聚合物混合层的有机双稳态器件的记忆特性及其载流子传输机制[J]. 发光学报, 2012, 33(4): 428. WU Yan-yu, ZHANG Xiao-song, XU Jian-ping, NIU Xi-ping, LUO Cheng-yuan, LI Mei-hui, LI Ping, SHI Qing-liang, LI Lan2. Memory Effect and Charge-transport Mechanisms of Write-once-read-many-times Bistable Devices Based on ZnS Quantum Dots Embedded in Poly-4-vinyl-phenol Layer[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2012, 33(4): 428.
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