目前,商用PDP三基色荧光粉主要为红色(Y,Gd)BO3∶Eu3+，绿色Zn2SiO4∶Mn2+、BaAl12O19∶Mn2+或(Gd, Y)BO3∶Tb3+，蓝色BaMgAl10O17∶Eu2+。然而，以上3种荧光粉均存在发光效率低的问题；另外，(Y, Gd)BO3∶Eu3+的色纯度较差，Zn2SiO4∶Mn2+和BaAl12O19∶Mn2+的衰减时间较长，(Gd,Y)BO3∶Tb3+亮度不足，BaMgAl10O17∶Eu2+的稳定性较差，这些因素在一定程度上制约了其发光和显示性能。本文总结了目前红、绿、蓝三种发光材料的真空紫外发光机理以及发光性能改进的研究进展，同时，对目前开发新型PDP用发光材料的研究也进行了介绍。

通过燃烧法合成了Eu3+掺杂的含氧磷酸镧(La3PO7∶Eu3+)纳米晶颗粒材料。样品的结构、形貌和粒径分别由X射线衍射、扫描电镜和透射电子显微镜得到。测量了样品的发射光谱、激光选择激发光谱和时间分辨光谱。实验结果表明：样品展示的较强红光发射来自于Eu3+ 的5D0→7F2辐射跃迁，Eu3+在La3PO7基质中至少占据两种不同的格位,且具有较低的格位对称性。

采用高温熔融法制备了一系列Ce3+/Sm3+共掺透明微晶玻璃，并研究了其发光特性。在微晶玻璃中Ce3+呈现出基于4f-5d跃迁的较强的宽带蓝光发射，通过调节Ce3+/Sm3+离子的掺杂浓度，Ce3+/Sm3+离子共掺微晶玻璃发光的色度逐渐发生变化，当CeO2/Sm2O3掺杂的量比为1∶1时，制得的微晶玻璃发光色坐标为(0.315, 0.296)。通过光谱和荧光衰减曲线，研究了Ce3+离子到Sm3+离子的能量传递，在SAZKNGC0.6S0.6微晶玻璃中，Ce3+离子向Sm3+离子传递能量效率约为20%。结果表明,Ce3+/Sm3+共掺微晶玻璃是白光LED的一种潜在基质材料。

用坩埚下降法生长获得了尺寸为φ25 mm×90 mm、Tm2O3初始掺杂摩尔分数为0.5％的CdWO4单晶。晶体的颜色由上部血红色逐渐加深至下部的黑褐色。对不同部位的晶体薄片进行800 ℃的氧化处理，测定了处理前后不同部位的吸收光谱和FTIR红外光谱。经氧气退火处理后，由于氧空位缺陷减少，晶体的颜色明显变淡。在吸收光谱中观测到421,684，805 nm的吸收带。其中421 nm的吸收峰随退火温度的升高而逐步减弱，经800 ℃处理后基本消失。在808 nm激光二极管激发下，观察到中心波长为1.5 μm和1.8 μm的荧光发射，分别对应于Tm3+的3H4→3F4，3F4→3H6的能级跃迁。

利用溶胶-凝胶法制备了Bi3+、Yb3+单掺和共掺的Gd2O3荧光粉。研究了Gd2-x-yO3∶Bi3+x，Yb3+y的制备条件并表征了Gd2-x-yO3∶Bi3+x，Yb3+y的荧光性能。 由于Gd2O3∶Bi3+，Yb3+中Bi3+对Yb3+的能量传递，Gd2O3∶Bi3+，Yb3+在Bi3+的特征激发峰338 nm激发时，可以产生Yb3+的900～1 100 nm近红外特征发射和Bi3+的400～700 nm特征发射的两个波段光谱。所制备的Gd2O3∶Bi3+，Yb3+荧光材料可将太阳光谱中硅太阳能电池吸收较弱的300～400 nm光转换成有较强吸收的500～700 nm 和1 000 nm附近的近红外光子，提高硅太阳能电池的光伏效率。

通过在Sr2SiO4∶Eu2+荧光粉中加入MgO，提高了Sr2SiO4∶Eu2+荧光粉的蓝光和黄光发射带的发射强度，研究了MgO浓度对Sr2SiO4∶Eu2+荧光粉发光强度的影响。当Mg与Si的量比在1.0附近时，荧光粉的亮度较高，且发光颜色为白色。通过调节Sr2SiO4∶yEu2+，MgO荧光粉中Eu2+的掺杂浓度，可以调节荧光粉的发光颜色。用Sr2SiO4∶Eu2+，MgO和400 nm的InGaN管芯制备的白光LED，色坐标优于α′-Sr2SiO4∶Eu2+和β-Sr2SiO4∶Eu2+荧光粉制成的白光LED，显色指数和流明效率高于β-Sr2SiO4∶Eu2+和α′-Sr2SiO4∶Eu2+制成的白光LED。

通过含苯氧基团的苯基酞嗪衍生物配体与IrCl3一步反应生成了三环铱配合物Ir(mppppz)3。在480 nm光激发下其二氯甲烷溶液的发光波长为608 nm，量子产率约为0.31，磷光寿命为268 ns，其纯固态发光波长为640 nm。配合物的HOMO能级为5.14 eV，LUMO能级为2.91 eV。当Ir(mppppz)3以2％的质量分数掺杂于PVK-PBD中做成电致发光器件后，电致发光波长为616 nm。器件的启亮电压为3.9 V，最大外量子效率为1.48%，最大亮度为1 030 cd/m2，对应的流明效率为0.81 cd/A，所发出的光的色坐标是(0.64, 0.35)，接近标准红色。

采用N2O plasma处理SiNx薄膜作为绝缘层，以室温下沉积的铟镓锌氧化物(IGZO)作为有源层制备了IGZO薄膜晶体管。与常规的IGZO-TFT相比，N2O plasma处理过的IGZO-TFT的迁移率由原来的4.5 cm2·V-1·s-1增加至8.1 cm2·V-1·s-1，阈值电压由原来的11.5 V减小至3.2 V，亚阈值摆由原来的1.25 V/decade减小至0.9 V/decade。采用C-V方法计算了两种器件的陷阱态，结果发现N2O plasma处理过的IGZO-TFT的陷阱态明显小于普通的IGZO-TFT的陷阱态，表明N2O plasma处理SiNx绝缘层是一种改善IGZO-TFT器件性能的有效方法。

利用水热法制备了氧化锌纳米棒材料，分析表征了样品的形貌及晶体结构特征，并测试了氧化锌纳米棒的光致发光谱。在室温条件下，研究了ZnO 纳米棒在不同波长的发光二极管(LED)光激发下对乙醇气体的气敏特性。结果表明:波长小于405 nm的紫外光对氧化锌纳米棒的气敏特性有着显著的影响，光致载流子对氧化锌的气敏特性有重要作用。分析讨论了室温下光激活纳米氧化锌气敏的机理。

使用柠檬酸钾(C6H5K3O7)作为电子注入材料，制备了多层有机电致发光器件。当柠檬酸钾阴极修饰层厚度为0.5 nm时，得到3.6 cd/A 的发光效率，高于0.5 nm LiF作阴极修饰层时的发光效率(2.5 cd/A) 。器件的开启电压相比0.5 nm LiF作阴极修饰的器件降低了0.5 V。实验结果表明，柠檬酸钾(C6H5K3O7)是一种良好的电子注入材料。

利用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上分别生长了ZnO薄膜和Cu薄膜， 用Cu薄膜作电极，研究了ZnO薄膜与Cu薄膜的接触特性。分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和I-V测试的方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了测试。结果表明：样品中ZnO薄膜和Cu薄膜均具有高度的择优取向；当Cu和 ZnO直接接触时，样品的I-V特性是非线性的；当Cu和 ZnO之间通过ZnO∶Cu层间接接触时形成良好的欧姆接触，而且退火后欧姆接触性能明显提高，电阻率降低约2/3。本研究为价格低廉的Cu电极成为ZnO基器件的欧姆电极提供了一定的依据。

利用磁控溅射法，采用亚分子分层掺杂技术交替溅射Co靶和ZnO靶，在Si衬底上制备了不同氢氩流量比的H∶ZCO薄膜样品，研究了氢氩流量比对薄膜结构特性和磁学性能的影响。所制备的薄膜样品具有c轴择优取向。由于H对表面和界面处悬挂键的钝化作用，随H2流量比的增加，薄膜的择优取向变差。磁性测量结果显示，薄膜样品的铁磁性随着氢氩流量比的增大而增强。XPS结果表明，随着H含量的增大，金属态Co团簇的相对含量逐渐增加，而氧化态Co离子的相对含量逐渐减小。H∶ZCO样品中的铁磁性可能来源于Co金属团簇，H的掺入促使ZnO中的Co离子还原成Co金属团簇，从而增强了薄膜样品的室温铁磁性。

制备了以Ag/SAM/m-MTDATA为复合空穴注入层的NPB/Alq3双层异质结发光器件，研究了器件的性能并与传统的器件进行了对比。考察了银膜厚度的变化对器件性能的影响。研究了光谱窄化以及微腔效应对器件的影响。研究结果表明：在ITO表面制备4-FTP自组装单分子膜修饰的5 nm厚的金属银膜，可以在保持阳极透明性的基础上，增强空穴的注入，改善界面的形貌，进而提高器件性能。制备的ITO/Ag/SAM/m-MTDATA/NPB/Alq3/LiF/Al器件的启亮电压为4 V，最大电流效率为6.9 cd/A, 最大亮度为34 680 cd/m2(12 V)；优于以ITO为阳极的对比器件(25 300 cd/m2 @12 V)。

用ZnS量子点与poly-4-vinyl-phenol (PVP)复合，通过简单的旋涂法制备了结构为ITO/ZnS∶PVP/Al的一次写入多次读取(WORM)的有机双稳态器件。器件起始状态为OFF态，通过正向电压的作用，器件由OFF态转变为ON态，并且在正向或反向电压的作用下，器件始终保持在ON态，表现出良好的一次写入多次读取的存储特性。与不含ZnS量子点的器件相比，含有ZnS量子点的器件表现出明显的双稳态特性，其电流开关比达到104，这说明ZnS量子点在器件中起到存储介质的作用。通过对器件电流-电压(I-V)特性的测试，详细讨论了器件的双稳态特性以及载流子传输机制，并且用不同的传导理论模型分析了器件在ON态和OFF态的电流传导机制。器件I-t曲线表明器件在大气环境中具有良好的永久保持特性。

在微波场闭合的三能级Lambda系统中计算了弱探测场的吸收和色散特性，发现闭合原子系统中的量子干涉导致弱探测场的吸收和色散特性依赖于施加场的相对位相。通过调节相对位相，获得了大的无反转增益和零吸收的高折射率。在三光子非共振的情况下，探测增益和吸收呈现随时间的振荡行为。

基于新型聚合物白光材料PF-DTFO制备了一种聚合物白光发光二极管(PWOLED)，通过在聚合物发光层中掺杂蓝光磷光染料FIrpic，利用磷光敏化发光原理，改善器件电致发光性能。在敏化PWOLED中，掺杂的FIrpic染料作为给体将产生的三重态能量传递给白光聚合物的长波发射基团，进一步提高了长波基团的发光强度，改善了白光光谱，使基色更平衡并且光谱更稳定。驱动电压从8 V增加到16 V时,器件电致发光光谱基本不变，色坐标仅从(0.33,0.38)移动至(0.32,0.38)。敏化后的器件发光效率相对于未掺杂器件提高了38%。

采用无锡华润上华(CSMC) 0.5 μm 标准CMOS工艺，设计并制备了一种新型的高发光功率载流子注入型三端Si-LED器件。该器件在p型衬底上进行n+掺杂，与p衬底形成两个相对的n+p结，其中一个结正向偏置，发出峰值波长在1 100 nm附近的红外光；另一个结同样正偏，作为注入结对发光进行调制。测试结果显示：第三端注入载流子明显增强了总体的发光功率，在10 mA偏置电流、3 V调制电压下，可获得1 nW的光功率，与单结相比提高了两个数量级。由于工作电压低，该器件可与目前主流的CMOS工艺共电源单芯片集成，在光电集成领域具有一定的应用前景。

利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术，在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层，采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。在低温条件下，栅绝缘层产生钝化，从而能够改善器件的性能。

室温下，在pH=7.4的氨-氯化铵缓冲溶液中，铕(Ⅲ)与诺氟沙星反应形成稳定络合物，产生稀土敏化荧光，其最佳激发、发射波长分别为λex=340 nm、λem=612 nm，表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)的加入使其荧光强度进一步增加。在该反应体系中加入适量硫酸新霉素溶液，铕(Ⅲ)与诺氟沙星络合物的激发、发射峰位置不变，但荧光强度降低，据此建立了灵敏的测定硫酸新霉素的荧光分析方法。硫酸新霉素的浓度在0.909~22.72 mg/L范围内符合线性关系。该方法的检出限为0.40 mg/L，可用于片剂及滴眼液中硫酸新霉素含量的测定，快速、简便、结果满意。6次平行测定的回收率为90.5%~102.3%，相对标准偏差为1.4%~3.5%。