作者单位
摘要
中国科学院微电子研究所 集成电路先导工艺研发中心,北京 100029
全球网络流量急速增长,数据传输所需带宽和能源消耗也随之快速增加,传统电子信息互联架构已无法满足日益增长的带宽和节约能耗的需求。硅基光电子技术具有带宽高、能耗低并且可以利用成熟的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术将光子集成电路和电子集成电路大规模集成在硅衬底上等优势,能满足下一代数据传输系统的迫切需求。2.5D/3D硅基光电子集成技术可以有效缩短光芯片和电芯片之间电学互连长度、减小芯片尺寸,从而减小寄生效应、提高集成密度和降低功耗。文章介绍了硅基光电子集成技术的不同方案和最新进展,并展望了硅基光电子芯片结合2.5D/3D集成技术在数据通信、激光雷达、生化传感以及光计算等领域的应用前景。
光通信 硅光 光电集成 2.5D/3D集成 硅通孔 转接板 optical communication silicon photonics electronic-photonic integration 2.5D/3D integration through-silicon-via interposer 
光通信研究
2023, 49(1): 1
作者单位
摘要
首都师范大学化学系光功能材料与器件北京市重点实验室,北京 100048
兼具高效发光和电荷传输特性的有机半导体是实现有机电泵浦激光的理想候选材料,但其分子设计与合成面临着巨大挑战。高载流子传输和高效固态发光效率之间存在着天然的矛盾,这是因为高载流子传输要求分子紧密堆积并具有强的分子间相互作用,但这种相互作用会显著降低固态发光效率。本文综述了近年来报道的兼具电荷传输特性和高发光效率的联苯衍生物的研究进展,重点介绍了约20余种基于联苯衍生物的有机半导体材料,包括分子的设计策略、相关的光电性能及其在光电器件方面的应用,为兼具高电荷传输特性和高发光效率的有机半导体材料的研究提供了指导和借鉴,同时为发展与实现有机电泵浦激光奠定了材料基础。本文还对该领域未来发展的挑战、方向及机遇进行了简单评述。
材料 联苯衍生物 光电集成 电荷传输 发光效率 有机电泵浦激光 
中国激光
2023, 50(1): 0113006
钱广 1,2,3钱坤 4何晓舟 4王子彦 4[ ... ]陈堂胜 1,2
作者单位
摘要
1 南京电子器件研究所,南京2006
2 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京10016
3 南京大学 微结构国家实验室和现代工程与应用科学学院,南京21009
4 空军装备部上海局,上海200231
微波光子收/发模块是微波光子系统中实现电光/光电转换等功能的核心部件,在雷达、电子对抗及通信等系统中均具有广泛应用。文章介绍了微波光子收/发模块结构原理和典型产品,论述了微波光子收/发模块未来发展趋势及关键技术。
微波光子 收/发模块 光电集成 microwave photonics transmitter/receiver opto-electric integration 
光电子技术
2022, 42(4): 241
作者单位
摘要
1 长沙理工大学物理与电子科学学院, 湖南 长沙 410114
2 华中科技大学光学与电子信息学院, 湖北 武汉 430074
石墨烯-氮化硅光电器件在光电集成方面具良好的性能, 但在氮化硅上转移石墨烯的可见度通常不佳, 导致难以判断转移石墨烯的效果, 因此研究石墨烯在氮化硅上的可见性具有重要意义。基于菲涅耳公式, 推导出石墨烯在多层结构下的光学反射率和对比度理论计算公式, 使用MATLAB仿真并分析石墨烯/氮化硅/二氧化硅/硅多层结构下不同二氧化硅厚度对光学对比度的影响。仿真结果表明, 在特定的二氧化硅层厚度下, 石墨烯的光学对比度能显著增加, 从而使石墨烯在显微镜下清晰可见, 能更好地判断石墨烯的转移效果, 当二氧化硅厚度为2 547 nm时, 使用500 nm的青绿色光源作为背景光, 石墨烯与周围介质的对比度能够超过0.3。最后对二氧化硅厚度为2 330 nm和2 690 nm的石墨烯/氮化硅/二氧化硅/硅多层结构的样品进行对比度实验, 实验结果与理论预测有一定差异, 分析表明主要原因为材料沉积厚度和光源波长存在偏差, 这对后续改进器件制作工艺以及完善测试方式具有指导意义。
氮化硅 光电集成 石墨烯 反射率 光学对比度 silicon?nitride optoelectronic integration graphene reflections optical contrast 
光学与光电技术
2021, 19(5): 67
作者单位
摘要
1 阜阳师范大学 计算机与信息工程院,安徽阜阳236037
2 厦门大学 航空航天学院,福建厦门36110
提出一种基于BCD工艺用于检测微弱光信号的单光子雪崩光电二极管(SPAD)及前端淬灭-复位电路(QRC)。为减小边缘击穿的风险,提高响应度,设计了一种圆形P+/Nwell/Deep Nwell结构SPAD,Deep Nwell和衬底之间形成的pn结,能够有效减少p衬底流向雪崩区的暗电流,降低暗计数率,也保证了较小的纵向渡越时间,提高了响应速度。同时设计了P阱保护环,增大了器件的击穿电压。采用silvaco对器件进行二维仿真,与传统的P+/Nwell结构以及P+/Nwell/BNwell结构进行了比较,验证了设计结构在击穿电压、响应度方面的优越性。为实现光电探测器与集成电路的协同设计,改进了APD光电器件的等效电路模型并在此基础上设计了主动淬灭复位电路,死时间约为2.6 ns,能够达到快速探测的目的。测试结果表明,P+/Nwell/DNwell结构的雪崩击穿电压为15.8 V,在过电压为0.2 V时,650 nm光照射下,响应度约为0.80 A/W,暗计数率为20 kHz。
单光子雪崩光电二极管 光电集成 BCD工艺 响应度 飞行时间传感器 single photon avalanche photodiode optoelectronic integration BCD technology responsivity time-of-flight sensor 
光学 精密工程
2021, 29(2): 267
李明 1,2,3郝腾飞 1,2,3潘时龙 4邹喜华 5[ ... ]闫连山 5
作者单位
摘要
1 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室,北京 100083
2 中国科学院大学 电子电气与通信工程学院,北京 100049
3 中国科学院大学 材料科学与光电研究中心,北京 100049
4 南京航空航天大学 电子信息工程学院,江苏 南京 211106
5 西南交通大学 信息科学与技术学院,四川 成都 611756
6 东南大学 电子科学与工程学院,江苏 南京 210096
7 上海交通大学 电子信息与电气工程学院,上海 200240
微波光子学是一门融合了微波技术和光子技术的交叉学科,是研究光波和微波在媒质中的相互作用以及在光频域实现微波信号的产生、处理、传输及接收的微波光波融合系统。由于现有的微波光子系统大多由分立器件组成,在体积、功耗、稳定性、成本等方面仍有待提升,因此集成化是微波光子技术发展的必然趋势。文中探讨了微波光子集成技术面临的主要科学与技术问题,总结了该技术的发展现状和前沿研究进展,并对其未来发展前景进行了展望。
微波光子学 集成微波光子学 光电子学 光电集成 光子集成电路 microwave photonics integrated microwave photonics optoelectronics optoelectronic integration photonic integrated circuit 
红外与激光工程
2021, 50(7): 20211048
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司 第三十四研究所, 广西 桂林 541004
2 桂林电子科技大学 机电工程学院, 广西 桂林 541004
针对传统电光调制器存在调制速度慢、损耗高和封装尺寸大等问题, 采用高电光系数的高分子材料, 结合狭缝波导理论, 提出了一种基于振荡微环的电光调制器, 并利用COMSOL Multiphysics和Lumerical FDTD solutions仿真软件对该调制器的关键性能进行仿真分析。分析结果表明: 该电光调制器在小封装尺寸条件下, 具有优异的光电性能, 而且兼容互补金属氧化物半导体(CMOS)标准制造工艺。
调制器 振荡微环 电光调制 狭缝波导 光电集成 modulator oscillating microring electro-optic modulator narrow waveguide optoelectronic integration 
光通信技术
2020, 44(7): 56
作者单位
摘要
东南大学 电子科学与工程学院 信息显示与可视化国际合作实验室, 江苏 南京 210096
表面等离激元具有突破光学衍射极限、局域场增强等特点, 有望代替电子和光子作为信号载体, 综合光学系统的高带宽特性与电子系统的紧凑性, 构建新一代高速、高集成化的光电集成电路。为了有效探测表面等离激元, 基于时域有限差分法提出一种基于周期性光栅的平面型表面等离激元探测结构模型, 其中包括耦合光栅、条形波导以及探测光栅。首先简要阐述了探测结构的工作原理, 并建立了工作在670, 1 310和1 550 nm波段的仿真模型; 同时研究等离激元耦合效率随入射光偏振角度的变化以及等离激元吸收率与波导长度的关系; 最后实验制备了相应的表面等离激元探测结构。结果表明: 表面等离激元的耦合效率与偏振角度成余弦平方关系; 在670 nm波段, 吸收率在波导长度为5 μm的条件下为4.3%, 衰减长度为17.1 μm, 与表面等离激元传播长度的理论值17.5 μm基本吻合; 实验测得的光电流随偏振角度的变化趋势与仿真的吸收率变化趋势一致, 证实了上述模型能够实现对表面等离激元的有效探测。所提出的表面等离激元探测结构模型为将来高速、集成化的新型光电集成电路提供了理论和实验基础。
光电器件 表面等离激元 周期性光栅 光电集成电路 photoelectric devices surface plasmons periodic gratings optoelectronic integrated circuits 
光学 精密工程
2020, 28(3): 526
韩春林 1,2,*钱广 1,2胡国华 3
作者单位
摘要
1 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室, 南京 210016
2 中国电子科技集团公司第五十五研究所, 南京 210016
3 东南大学 先进光子学中心, 南京 210096
介绍了LNOI材料、光波导制备、光耦合和器件技术方面的研究进展, 并针对LNOI材料在光电集成芯片方面的发展进行了展望。
薄膜铌酸锂 绝缘层上铌酸锂 集成微波光子 光电集成 thin film lithium niobate LNOI integrated microwave photonics optoelectronic integration 
光电子技术
2019, 39(3): 168
作者单位
摘要
北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室, 北京 100876
在PIN光电探测器(PIN-PD)结构的垂直方向上集成垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构单元,实现了收发一体式工作的集成光电芯片对,可用于进一步提高光互连的性能。该集成光电芯片可以同时对两个波段进行收发一体工作,一端进行中心波长为805 nm的光信号的发送和中心波长为850 nm的光信号的接收,另一端进行中心波长为850 nm的光信号的发送和中心波长为805 nm的光信号接收。仿真优化805 nm波长处光信号发送端的结构与性能,理论分析结构中VCSEL单元和PIN-PD单元工作时的电学隔离和光学解耦,最终证实本结构可以同时进行收发一体的工作。
光通信 光电集成 光电探测器 激光器 垂直腔面发射激光器 光互连 
光学学报
2019, 39(8): 0806003

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