针对硅基单端推挽驱动调制器的脊波导pn结部分结电容较大, 限制了调制器带宽进一步提高的问题, 提出了一种狭缝脊波导pn结结构。通过将脊波导pn结蚀刻一定尺寸的狭缝, 降低了pn结电容, 实现了带宽的提升。对两种pn结进行了仿真对比, 结果表明, 在相同电极结构与掺杂条件下, 狭缝脊波导调制器比脊波导调制器的电光带宽提升了约8.3GHz。基于优化的单端推挽驱动狭缝脊波导调制器, 仿真实现了90Gbit/s的OOK信号调制, 眼图消光比为14.69dB。
硅光子 电光调制器 行波电极 马赫-曾德尔干涉仪 pn结 silicon photonics electro-optic modulator traveling-wave electrode Mach-Zehnder interferometer pn junction
东南大学电子科学与工程学院先进光子学中心, 江苏 南京 210096
采用一种半径相同的级联双微环谐振器实现n>1阶光时域微分器,并基于最小平均偏差原则,分析级联双微环微分器的微分精度、能量效率和输入信号对微分结果的影响。相比于单一微环,该结构可将微分波形平均绝对偏差最大值5.67%降至0.67%。在1
信号处理 光时域微分器 级联微环谐振器 微分特性 硅基 激光与光电子学进展
2020, 57(9): 090701
1 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室, 南京 210016
2 中国电子科技集团公司第五十五研究所, 南京 210016
3 东南大学 先进光子学中心, 南京 210096
介绍了LNOI材料、光波导制备、光耦合和器件技术方面的研究进展, 并针对LNOI材料在光电集成芯片方面的发展进行了展望。
薄膜铌酸锂 绝缘层上铌酸锂 集成微波光子 光电集成 thin film lithium niobate LNOI integrated microwave photonics optoelectronic integration
Author Affiliations
Abstract
Advanced Photonics Center, Southeast University, Nanjing 210096, China
Due to the excellent electro-optic properties of lead lanthanum zirconium titanate ((Pb,La)(Zr,Ti)O3, PLZT), compact 1×2 and 1×4 PLZT optical switches with a high response speed are proposed and fabricated successfully in this Letter. By introducing a thin isolating layer between the waveguides and the electrodes, the absorption loss of the fabricated 1×2 PLZT switch caused by the electrodes is reduced 8.9 dB with a relatively low driving voltage. The 1×2 PLZT switch shows an insertion loss of 18.3 dB and crosstalk of 20.5 dB at an applied voltage of 9.5 V. The fabricated 1×4 switch array shows an insertion loss of 20.7 dB and a crosstalk of 20.5 dB at an applied voltage of 13 V. The response time of the switches is less than 27 ns, and the device’s size is only 15 mm×6 mm. The switches can be used in optical communication systems.
060.4510 Optical communications 130.3120 Integrated optics devices 130.3130 Integrated optics materials 130.4815 Optical switching devices Chinese Optics Letters
2015, 13(11): 111301
1 合肥工业大学 计算机与信息学院， 安徽 合肥230009
2 中国电子科技集团 第38所研究所， 安徽 合肥230031
3 脉冲功率激光技术国家重点实验室(电子工程学院)， 安徽 合肥230037
4 合肥学院 电子信息与电气工程系通信教研室， 安徽 合肥230001
以现有的目标获取性能模型NVLESD(Night Vision and Electronic Sensors Directorate)为基础，分析杂波对于“人在回路”目标获取性能的影响。针对视场外激光干扰图像的特点，运用图像边缘概率尺度修正后的目标获取性能模型对激光干扰图像进行分析。对CCD探测器的视场外干扰实验结果表明，该方法能够较好地反映激光干扰图像对于搜索探测概率的影响，从而验证了方法的有效性。
视场外 激光干扰 目标获取性能 杂波 边缘概率 out of the field of view laser jamming NVESD NVESD target acquisition performance clutter POE
东南大学先进光子学中心, 江苏 南京 210096
基于紫外固化胶和聚砜聚合物材料体系，采用脊形单模波导结构，理论设计并优化了聚合物波导环形谐振腔滤波器的波导截面参数、弯曲半径和耦合区波导间距等结构参数，分析了其滤波响应特性。并在此基础上，结合光刻、反应离子刻蚀等传统的微加工工艺制备了聚合物环形谐振腔滤波器，并进行了光谱测试，器件测试结果与设计基本符合。结果表明，该聚合物微环谐振腔滤波器在通信波段1550 nm附近的自由光谱范围为0.21 nm，3 dB带宽为0.04 nm，插入损耗为26 dB，消光比达到了11 dB，品质因子达到了3.87×104。该聚合物微环谐振腔滤波器可以用于光通信及光传感集成芯片。
光学器件 聚合物 微环谐振腔 品质因子 消光比 光学学报
2011, 31(10): 1013002
东南大学电子科学与工程学院, 江苏 南京 210096
实验研究了聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)掺杂生色团分散红DR19的电光聚合物的电晕极化特性。结合吸收光谱法和显微镜形貌分析了极化电压、极化温度以及极化时间对极化效果的影响。理论和实验分析得出极化电压增大可以增大聚合物内部极化电场, 但电压过大会引起薄膜击穿而降低极化效果; 而极化温度升高可以增大分子取向力, 但在聚合物玻璃化温度以上会导致相分离; 极化时生色团分子的取向随时间增大并逐渐达到动态平衡。实验结果表明：表征极化效果的序参数随极化电压的增大而先增大后减小, 随极化温度的升高而先增大后减小, 随极化时间的增长先增大后趋于稳定。
薄膜光学 极化聚合物 电光特性 电晕极化
极化聚合物以其响应速度快、制作工艺相对简单在聚合物集成光电器件领域得到了广泛的关注和研究.利用由大面积ITO玻璃、钨丝阵列以及金属栅格网组成的三层上电极结构,实现了DR19/PMMA掺杂型聚合物大面积均匀极化,并通过比较极化聚合物吸收光谱和以及反射法测量的电光系数,研究了极化电流、极化电压等极化参数对极化效果的影响.
掺杂型聚合物 电晕极化 电光效应
主要研究如何在不损伤聚合物的前提下,实现聚合物波导的端面处理,即对端面的研磨和抛光.由于硅材料和聚合物材料的物理特性差别,除了要选择好特定的抛光材料以外,在抛光时还要特别控制抛光速度和抛光时间:速度过快会造成硅片"塌边"和损坏聚合物膜.试验结果表明:抛光速度在50 r/min以上很容易造成损伤;速度在20 r/min左右的抛光效果较理想.抛光时间不够则不能达到抛光要求.
光集成器件 聚合物光波导 封装 抛光
