提出一种基于BCD工艺用于检测微弱光信号的单光子雪崩光电二极管（SPAD）及前端淬灭-复位电路（QRC）。为减小边缘击穿的风险，提高响应度，设计了一种圆形P+/Nwell/Deep Nwell结构SPAD，Deep Nwell和衬底之间形成的pn结，能够有效减少p衬底流向雪崩区的暗电流，降低暗计数率，也保证了较小的纵向渡越时间，提高了响应速度。同时设计了P阱保护环，增大了器件的击穿电压。采用silvaco对器件进行二维仿真，与传统的P+/Nwell结构以及P+/Nwell/BNwell结构进行了比较，验证了设计结构在击穿电压、响应度方面的优越性。为实现光电探测器与集成电路的协同设计，改进了APD光电器件的等效电路模型并在此基础上设计了主动淬灭复位电路，死时间约为2.6 ns，能够达到快速探测的目的。测试结果表明，P+/Nwell/DNwell结构的雪崩击穿电压为15.8 V，在过电压为0.2 V时，650 nm光照射下，响应度约为0.80 A/W，暗计数率为20 kHz。