利用电子给体材料mTPA-PPI和电子受体材料PO-T2T，实现了一种具有显著热活化延迟荧光特性的激基复合物，通过时间分辨谱技术，探明了mTPA-PPI∶PO-T2T间激子的反系间窜越、瞬时荧光、延迟荧光等激子动力学过程；研制了基于mTPA-PPI∶PO-T2T双母体的高性能磷光OLED器件，通过高效的反系间窜越过程，提升了三线态激子的利用率，有效提高了器件效率，缓解了高电流密度下的效率滚降。基于激基复合物双母体红光磷光器件的最大电流效率、功率效率、外部量子效率分别为20.3 cd/A，18.6 lm/W和11.54%，分别是单母体器件的1.4，1.2，1.5倍，此外，双母体器件的最高亮度高达25 410 cd/m2，是单母体器件最高亮度的3.9倍。

紫外有机发光器件（OLED）的宽带隙发光分子限制了空穴注入效率, 从而导致载流子复合低效, 器件发展受限。可溶液处理工艺兼顾了低成本、高可控性及规模生产的时代特色。本文报道了利用溶液法制备的WCl6及其与聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸掺杂复合物（PEDOT∶PSS+WCl6）调控近紫外OLED的空穴注入特性, 实现了高效率近紫外有机发光。X射线光电子能谱、紫外-可见光吸收光谱等分析表明, WCl6和PEDOT∶PSS+WCl6薄膜具有优异的电子特性和光透过性。伏安特性和阻抗谱分析表明, 空穴注入能力按WCl6、PEDOT∶PSS和PEDOT∶PSS+WCl6的顺序依次增强。以PEDOT∶PSS+WCl6作空穴注入层、2-(4-联苯)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑（PBD）作发光层, 获得了最大外量子效率为2.6%、最大辐照度为8.05 mW/cm2、半峰宽为45 nm、电致发光峰为405 nm的高效率近紫外OLED。器件寿命测试对比结果表明, WCl6掺杂PEDOT∶PSS后器件的稳定性得到了增强。 该研究结果拓展了WCl6的应用领域, 对于推进高效稳定近紫外OLED的进一步发展具有一定的借鉴意义。

采用半透明的镁银合金阴极成功制备了直流驱动的绿光透明有机电致发光器件, 并在此基础上, 提出利用半透明的镁银合金中间连接层连接两个发光子单元的新型器件结构, 从而成功实现了交流驱动的绿光透明有机电致发光器件。在铟锡氧化物和镁银合金两侧的出光方向上, 器件的光谱完全一致, 最大亮度分别达到1 374 cd/m2和283 cd/m2, 最高效率分别达到26.1 cd/A(8.1 lm/W)和3.5 cd/A(1.7 lm/W), 铟锡氧化物一侧的性能较好是由于铟锡氧化物电极和镁银合金中间连接层的透过率不同形成的。在低频交流电驱动下, 器件的两个发光子单元交替发出绿光; 而在高频交流电驱动下, 由于人眼无法分辨交替点亮时的闪烁, 两个发光子单元对于人眼而言则是同时且稳定地发出绿光。

通过0.18 μm标准CMOS工艺设计并制备了一种MOS结构的硅基发光器件。该光源器件在一个n阱中设计了两个相同的PMOS, 分别利用p+源/漏区与n阱形成的p+n结进行反偏雪崩击穿而发射可见光。测试结果显示, 该光源器件在正偏状态下的开启电压为0.8 V, 在6 V的反偏电压下发生雪崩击穿, 能够发出黄色的可见光, 发光频谱范围为420~780 nm。本文对比了0.5 μm和2 μm两个不同发光窗口宽度的测试结果, 发现该光源器件在更小发光窗口具有更高的发光强度和更好的发光均匀度, 该特征与发光器件的反向电流密度分布和光在金属电极间的反射有关。研究成果在片上硅基光电集成回路中具有一定的应用价值。

采用传输矩阵法对有机电致发光器件（OLED)、微腔有机电致发光器件（MOLED)和耦合微腔有机电致发光器件（CMC)的电致发光光谱（EL)进行了模拟计算。OLED、MOLED和CMC的结构分别为glass/ITO（134 nm)/NPB（74 nm)/Alq3（62 nm)/Al、glass/DBR/ITO（134 nm)/NPB（74 nm)/Alq3（62 nm)/Al和glass/DBR1/filler/DBR2/ITO（134 nm)/NPB（74 nm)/Alq3（62 nm)/Al。通过模拟计算发现: OLED光谱呈宽带发射, 主峰峰值位于561 nm, 肩峰峰值位于495 nm; MOLED光谱呈单峰窄带发射, 峰值位于534 nm; CMC光谱呈双峰窄带发射, 峰值分别位于520 nm和556 nm。MOLED光谱的色纯度最高; OLED与MOLED的光谱积分面积基本相同; CMC的光谱积分面积是OLED或MOLED的1.1倍, 发光效率最高。结果表明, 采用双耦合微腔结构可有效提高OLED的发光效率, 改善发光的色纯度。