水汽透过率(WVTR)是衡量有机电致发光器件(OLED)封装薄膜性能的重要参数之一。本文研究了基于钙电学法的WVTR测试方法, 设计并研制了可满足OLED水汽透过率测试精度和功能要求的测试系统, 测试精度达1×10-6 g·m－2·d－1, 量程为10 g·m－2·d－1, 可同时完成20个样品的快速、精确测量。利用本系统对采用原子层沉积技术制备的不同厚度Al2O3封装薄膜的WVTR进行了测试研究, 结果表明, Al2O3薄膜具有良好的水汽阻挡性能。

在基于参考温度的二次测量法数学模型的基础上，提出了无需假设光谱发射率模型的可见 -红外多光谱辐射测温迭代递推算法，并对 4种发射率假设模型进行了仿真计算。结果表明：新算法的温度绝对误差小于 20 K，发射率趋势也与假设模型的发射率趋势吻合较好。进一步完善了可见 -红外多光谱辐射测温理论。

制备了基于反应溅射SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT, 并系统地研究了InGaZnO-TFT在白光照射下的稳定性, 主要涉及到光照、负偏压、正偏压、光照负偏压和光照正偏压5种情况。结果表明, 器件在光照和负偏压光照下的阈值偏移较大, 而在正偏压光照情况下的阈值偏移几乎可以忽略。采用C-V方法证明阈值电压漂移是源于绝缘层/有源层附近及界面处的缺陷。另外, 采用指数模式计算了缺陷态的弛豫时间。本研究的目的就是揭示InGaZnO-TFT在白光照射和偏压下的不稳定的原因。

以Cs2CO3修饰的Al电极作为反射阴极制备了高效倒置顶发射结构有机电致发光器件(ITOLED)。以八羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层、MoO3修饰的Ag为半透明阳极时，器件的开启电压为3.6 V，发光效率和功率效率分别达到9.8 cd/A和3.4 lm/W。研究结果表明，Al/Cs2CO3为反射阴极的器件性能明显高于使用Mg∶Ag(4.2 V,8.6 cd/A,2.85 lm/W)和Al(5 V,5.5 cd/A,1.57 lm/W)作为反射阴极的倒置顶发射OLED器件。单电子器件研究结果证明，以Cs2CO3修饰的Al电极功函数明显低于Mg∶Ag和Al电极，具有更好的电子注入效果。因此，除去微腔效应外，Al/Cs2CO3为反射电极的ITOLED器件性能的提高主要归因于Al/Cs2CO3阴极的有效电子注入。

采用N2O plasma处理SiNx薄膜作为绝缘层，以室温下沉积的铟镓锌氧化物(IGZO)作为有源层制备了IGZO薄膜晶体管。与常规的IGZO-TFT相比，N2O plasma处理过的IGZO-TFT的迁移率由原来的4.5 cm2·V-1·s-1增加至8.1 cm2·V-1·s-1，阈值电压由原来的11.5 V减小至3.2 V，亚阈值摆由原来的1.25 V/decade减小至0.9 V/decade。采用C-V方法计算了两种器件的陷阱态，结果发现N2O plasma处理过的IGZO-TFT的陷阱态明显小于普通的IGZO-TFT的陷阱态，表明N2O plasma处理SiNx绝缘层是一种改善IGZO-TFT器件性能的有效方法。

制备了两种以SiO2为绝缘层的底栅ZnO薄膜晶体管，分别以未退火和退火处理的ZnO薄膜作为有源层。与未退火处理的ZnO薄膜晶体管相比，退火处理的ZnO薄膜晶体管的饱和迁移率由2.3 cm2/(V·s)增大至3.12 cm2/(V·s)，阈值电压由20.8 V 减小至9.9 V，亚阈值摆幅由2.6 V/dec 减小至 1.9 V/dec。25 V直流电压施加3 600 s后，未退火器件的阈值电压变化达到8 V，而退火处理的器件的阈值电压变化仅为3.4 V。实验结果表明，对有源层退火处理有利于提升ZnO-TFT器件的电学性能和偏压稳定性。

报道了不同厚度Ta2O5栅绝缘层对氧化锌薄膜晶体管器件性能的影响。在室温下用射频磁控溅射分别制备了100,85,60,40 nm厚度的Ta2O5 薄膜作为绝缘层的一组底栅氧化锌薄膜晶体管器件。从实验结果可以得出如下结论：随着Ta2O5栅绝缘层厚度的增加，相应器件的场效应迁移率下降，其数值分别是50.5,59.3,63.8,71.2 cm2/V·s，对应100,85,60,40 nm厚度的绝缘层。从原子力显微图像可以看到，Ta2O5薄膜表面粗糙度随着薄膜厚度的减小而降低，这是场效应迁移率得以提高的主要原因。而100,85,60,40 nm不同厚度的绝缘层相应器件的开关电流比分别是1.2×105, 4.8×105, 3.2×104, 7.2×103，其阈值电压分别为1.9,1.5,1.2,0.9 V。从各项性能综合考虑，85 nm厚度的Ta2O5栅绝缘层所制备的薄膜晶体管器件具有最佳性能。

光谱复折射率是计算烟尘粒子散射特性的重要参数. 该文在光谱透射法反演烟尘粒子复折射率理论的基础上, 将烟尘粒子弥散于水中形成烟尘粒子悬浊液, 通过可见光分光光度计测量该悬浊液的光谱透射率, 通过激光粒度仪获得烟尘粒子的粒径分布, 利用悬浊液光谱透射法对烟尘粒子的复折射率进行了反演. 研究结果表明, 烟尘粒子在可见光波长范围内没有明显吸收带, 但随着波长的增加, 透过率逐渐降低. 烟尘粒子复折射率的反演结果与KBr样片法的反演结果吻合较好. 利用悬浊液光谱透射法测量烟尘粒子的复折射率, 实验过程简单, 约束条件少, 并可利用红外分光光度计测量透射率后, 拓展至红外波段.

以衬底温度和射频(RF)功率为调控晶化多晶硅薄膜的氢等离子钝化处理工艺的参数,借助发射光谱(OES)全程实时探测以及对氢化处理后薄膜的傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)的分析,通过钝化前后薄膜电性能相对照,探讨工艺优化的微观机理。对于LPCVD为晶化前驱物SPC晶化的样品,氢等离子体中的Hβ和Hγ基元对氢钝化处理起主要作用。硅薄膜氢化处理后膜中的氢以Si-H或Si-H2的形态大量增加。随氢化处理的温度升高,促使Hβ和Hγ以更高的动能在表面移动并进入薄膜内与硅悬挂键键合。只有提供足够的动能才能有效改善多晶硅微结构(R降低),使霍尔迁移率得以增大;样品在足够高的衬底温度下,只需较低功率即能产生所需数量的Hβ和Hγ等离子基元对样品予以钝化。降低功率,能有效降低I2100、继而减小R,从而减少对薄膜的轰击和刻蚀,有利提高电学性能。实验中样品氢化处理较优化的条件为550 ℃,10 W,其霍尔迁移率提高了43.5%。

利用溶胶-凝胶法制作了平板波导.实验中，在不同的条件下采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备出TiO2平板波导，分析了影响平板波导的因素，如溶胶-凝胶溶液的浓度、pH值，滴胶速度，热处理等.并对在不同工艺条件下的波导膜特性进行了测试，分析了影响波导膜质量的各个因素.实验表明，在控制实验条件的前提下溶胶-凝胶法在制作平板波导膜的工艺上制作方法简单，容易实现.