制备了基于反应溅射SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT, 并系统地研究了InGaZnO-TFT在白光照射下的稳定性, 主要涉及到光照、负偏压、正偏压、光照负偏压和光照正偏压5种情况。结果表明, 器件在光照和负偏压光照下的阈值偏移较大, 而在正偏压光照情况下的阈值偏移几乎可以忽略。采用C-V方法证明阈值电压漂移是源于绝缘层/有源层附近及界面处的缺陷。另外, 采用指数模式计算了缺陷态的弛豫时间。本研究的目的就是揭示InGaZnO-TFT在白光照射和偏压下的不稳定的原因。

以Cs2CO3修饰的Al电极作为反射阴极制备了高效倒置顶发射结构有机电致发光器件(ITOLED)。以八羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层、MoO3修饰的Ag为半透明阳极时，器件的开启电压为3.6 V，发光效率和功率效率分别达到9.8 cd/A和3.4 lm/W。研究结果表明，Al/Cs2CO3为反射阴极的器件性能明显高于使用Mg∶Ag(4.2 V,8.6 cd/A,2.85 lm/W)和Al(5 V,5.5 cd/A,1.57 lm/W)作为反射阴极的倒置顶发射OLED器件。单电子器件研究结果证明，以Cs2CO3修饰的Al电极功函数明显低于Mg∶Ag和Al电极，具有更好的电子注入效果。因此，除去微腔效应外，Al/Cs2CO3为反射电极的ITOLED器件性能的提高主要归因于Al/Cs2CO3阴极的有效电子注入。

采用N2O plasma处理SiNx薄膜作为绝缘层，以室温下沉积的铟镓锌氧化物(IGZO)作为有源层制备了IGZO薄膜晶体管。与常规的IGZO-TFT相比，N2O plasma处理过的IGZO-TFT的迁移率由原来的4.5 cm2·V-1·s-1增加至8.1 cm2·V-1·s-1，阈值电压由原来的11.5 V减小至3.2 V，亚阈值摆由原来的1.25 V/decade减小至0.9 V/decade。采用C-V方法计算了两种器件的陷阱态，结果发现N2O plasma处理过的IGZO-TFT的陷阱态明显小于普通的IGZO-TFT的陷阱态，表明N2O plasma处理SiNx绝缘层是一种改善IGZO-TFT器件性能的有效方法。

制备了两种以SiO2为绝缘层的底栅ZnO薄膜晶体管，分别以未退火和退火处理的ZnO薄膜作为有源层。与未退火处理的ZnO薄膜晶体管相比，退火处理的ZnO薄膜晶体管的饱和迁移率由2.3 cm2/(V·s)增大至3.12 cm2/(V·s)，阈值电压由20.8 V 减小至9.9 V，亚阈值摆幅由2.6 V/dec 减小至 1.9 V/dec。25 V直流电压施加3 600 s后，未退火器件的阈值电压变化达到8 V，而退火处理的器件的阈值电压变化仅为3.4 V。实验结果表明，对有源层退火处理有利于提升ZnO-TFT器件的电学性能和偏压稳定性。

报道了不同厚度Ta2O5栅绝缘层对氧化锌薄膜晶体管器件性能的影响。在室温下用射频磁控溅射分别制备了100,85,60,40 nm厚度的Ta2O5 薄膜作为绝缘层的一组底栅氧化锌薄膜晶体管器件。从实验结果可以得出如下结论：随着Ta2O5栅绝缘层厚度的增加，相应器件的场效应迁移率下降，其数值分别是50.5,59.3,63.8,71.2 cm2/V·s，对应100,85,60,40 nm厚度的绝缘层。从原子力显微图像可以看到，Ta2O5薄膜表面粗糙度随着薄膜厚度的减小而降低，这是场效应迁移率得以提高的主要原因。而100,85,60,40 nm不同厚度的绝缘层相应器件的开关电流比分别是1.2×105, 4.8×105, 3.2×104, 7.2×103，其阈值电压分别为1.9,1.5,1.2,0.9 V。从各项性能综合考虑，85 nm厚度的Ta2O5栅绝缘层所制备的薄膜晶体管器件具有最佳性能。

有源驱动方式的有机发光二极管(AMOLED)较之无源驱动方式易于实现高亮度和高分辨率、功耗更小，更适合大屏幕显示。但传统的两管驱动电路会出现驱动管阈值电压在整个屏幕上分布不均匀，或长时间加偏压后驱动管的阂值电压发生漂移。本文在两管驱动电路的基础上介绍了几种最近提出的补偿电路并描述了它们的改善效果及各自存在的问题。

在空穴传输层(HTL)和发光层(EML)界面加入缓变结的蓝色有机电致发光器件(Cell-GJ)。与传统的异质结结构的有机电致发光器件(Cell-HJ) 相比,寿命有了明显的提高:半寿命在初始亮度为100 cd/m2的条件下达到了8460 h,比Cell-HJ的半寿命长6倍。寿命的延长归功于穿过非突变界面的局部电场的消除,减少了焦耳热的产生从而提高了器件的寿命。但是实验证实Cell-GJ的效率比Cell-HJ的效率低。为了提高Cell-GJ的效率在其TBADN/AlQ交界处蒸镀GaQ薄层制得一种新型器件Cell-GJGaQ。由于GaQ的最低未占有轨道能级介于AlQ和TBADN之间,从AlQ到GaQ再到TBADN形成的多阶势垒可以极大地提高电子(少子)注入,从而使发光效率也有了明显改善。 研究结果表明Cell-GJGaQ的效率比Cell-GJ的效率高20%,半寿命同时也达到了6998 h,比Cell-HJ长5倍,整体性能有了较大提高。

以苯乙烯类化合物BCzVB为蓝色荧光染料, 以铱配合物Btp2Ir(acac)为红色磷光染料, 共掺杂到CBP基质中作为发光层, 制备了白色有机电致发光器件, 研究了该体系发光色度漂移的原因。器件在掺杂CBP∶6％BCzVB∶0.2％Btp2Ir(acac), 在.驱动电流从4～200 mA/cm2变化范围内, 发光色坐标从(0.340, 0.273)飘移到(0.308, 0.273), 色坐标轻微蓝移。对器件发光光谱和亮度电流密度曲线等分析表明：器件色度的轻微蓝移是由于CBP基质向Btp2Ir(acac)掺杂剂完全的能量传递、荧光染料BCzVB向磷光染料Btp2Ir(acac)不完全的能量传递等内在物理过程和磷光染料Btp2Ir(acac)自身发光饱和等特性共同决定的。

以ADN为基质，分别以不同掺杂剂制备了四种蓝色有机发光器件，器件结构为：CuPc(12 nm)/NPB(40 nm)/AND∶Dopant(50 nm)/Alq(12 nm)/LiF(4 nm)/Al。掺杂剂有：BCzVB(amino-substituted distyrylarylene derivatives)、TBPe、BCzVBi和DSA-ph四种。研究了最佳掺杂浓度以及器件的亮度、电流密度、效率和色坐标等电学特性和光学特性。其中掺杂BCzVB制备了色纯度高、低电流猝灭性的蓝色有机发光器件，色坐标达到x=0.146,y=0.162，最大亮度为11600 cd/m2(15 V)，电流效率为2.8 cd/A，流明效率为1.79 lm/W；以ADN为基质，分别以TBPe、BCzVBi和DSA-ph为掺杂剂，制备了另外三种对比器件。器件ADN∶TBPe色坐标为x=0.162,y=0.222(蓝绿光)，效率随电流的增加而降低很快；器件ADN∶BczVBi有较好的色纯度(色坐标：x=0.164,y=0.146)，但电流效率较低：2.03 cd/A，效率随电流的增加降低幅度也较快。器件ADN∶DSA-ph效率较高为8 cd/A，效率随电流增加变化幅度不大，但色纯度比较差(x=0.153，y=0.306)，适合于做白色有机发光器件。

在一种红色有机电致磷光器件中采用双(2-甲基-8-喹啉)4-联本氧基铝[bis(2-methyl-8-quinolinato)4-phenylphenolate aluminum, BAlq]为空穴和激子阻挡层,得到了效率、亮度和色度俱佳的发光器件。器件最高亮度为10362 cd/m2,最高外量子效率为7.0％,器件色坐标[Commission Internationale de l′Eclairage (CIE) co-ordinates]为(0.672, 0.321)。另外在大电流密度100 mA/cm2下,量子效率仍有4.3％。该器件性能指标基本能够满足彩色动态显示中对红色发光的要求。