研究了静电放电(ESD)人体模式(HBM)下的脉冲应力对有机发光二极管(OLED)的性能及寿命的影响, 并讨论了相应的物理机制。对比分析了4组OLED在施加ESD放电为0, 200,800,1 600 V前后的电学和光学特性, 并进行了相应的寿命测试分析。研究发现, OLED器件的光谱对ESD不敏感, 随着冲击电压的增大, 由于静电打击对载流子的短期抑制效应, OLED的亮度出现轻微下降。在静电冲击电压为200 V和800 V时, 伏安特性没有发生变化; 当静电冲击电压增至1 600 V时, 反向漏电有明显增加。后续的加速寿命实验表明, 静电打击对器件的工作寿命没有明显的规律性影响, 但是会一定程度提高非本质老化失效的概率。

采用一步法合成了510, 550和630 nm三种峰值的高稳定性、 高量子效率核壳结构CdSe/ZnS量子点材料, 其量子产率分别达到82%, 98%, 97%。 将该量子点材料取代传统的荧光粉材料, 与硅胶均匀混合后作为光转换层涂覆到蓝色InGaN LED芯片上, 制备了白光LED器件。 通过依次添加不同颜色量子点制备的量子点光转换层, 考察了510, 550和630 nm三色CdSe/ZnS量子点在硅胶中的不同配比对白光LED器件性能的影响, 研究了不同颜色量子点之间的能量转换机制, 利用量子点对白光光谱及其色坐标的影响机制, 得到优化的白光器件结果及其三色量子点的配比, 结果表明, 当绿色、 黄绿色、 红色三种量子点之间的配比为24∶7∶10时, 得到高稳定性、 高效率的正白光器件特性, 在电流20～200 mA范围内, 色温变化为4 607～5　920 K, 色坐标变化为（0.355　1, 0.348　3）～（0.323　4, 0.336　1）, 显色指数变化为77.6～84.2, 器件最高功率效率达到31.69 lm W-1@20 mA。 另外, 为了进一步考察器件性能稳定的原因, 研究了时间、 温度以及UV处理对CdSe/ZnS QDs/硅胶混合光转换材料稳定性的影响, 结果表明, 器件的高稳定性可归因于所采用的一步法合成的核壳结构量子点材料本身的稳定性, 研究的优化器件结果是一种低能耗的优质白光光源, 　可使人们真实地感知物体的原貌, 在正白光光源领域具有很好的应用前景。

将一步法合成的具有梯度合金结构的红光、绿光CdSe@ZnS量子点与硅胶均匀混合后,作为光转换层涂覆到蓝色InGaN LED芯片上, 制备了不含荧光材料的三波段白光LED器件。研究了峰值为650 nm和550 nm的高效率红、绿量子点在硅胶中的含量及配比对白光LED色坐标以及效率的影响。结果表明, 当红、绿量子点配比为2∶3时, 可得到发射纯正白光的QDs-LED器件, 色坐标为(0.322 8,0.335 9)、色温为5 725 K, 功率效率为26.61 lm/W, 显色指数为72.7。光谱中红、蓝、绿三色发光峰的半高宽分别为30, 25, 38 nm, 表明器件具有很好的单色性和高色纯度。

通过旋涂含有CdSe/ZnS量子点(Quantum dot,QD)的溶液为发光层薄膜，制备了叠层结构的电致发光二极管，利用原子力显微镜研究了QD发光亮度、薄膜形貌与其工艺条件、参数的关系。研究结果表明: 随QD厚度的增加，QD纳米粒子薄膜由单层向多层薄膜形成，QD纳米颗粒发生团聚现象，并使器件亮度降低。此外，退火温度对QD薄膜形貌及其发光强度影响很大: 当退火温度高于150 ℃时，产生的热量也会造成QD纳米粒子团聚，并导致QLED器件发光性能下降。

采用基于计算流体动力学的热学模拟仿真与瞬态热学测试技术分析了OLED的热学特性，研究并讨论了输入功率、面板取向、风速等实际应用变量对OLED面板结温的影响。研究结果表明，OLED的结温与衬底及封装盖表面存在明显的温度梯度，且此温度梯度随输入电流增加大幅增大。OLED的热学特性与面板取向、气流速度密切相关。

以Cs2CO3修饰的Al电极作为反射阴极制备了高效倒置顶发射结构有机电致发光器件(ITOLED)。以八羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层、MoO3修饰的Ag为半透明阳极时，器件的开启电压为3.6 V，发光效率和功率效率分别达到9.8 cd/A和3.4 lm/W。研究结果表明，Al/Cs2CO3为反射阴极的器件性能明显高于使用Mg∶Ag(4.2 V,8.6 cd/A,2.85 lm/W)和Al(5 V,5.5 cd/A,1.57 lm/W)作为反射阴极的倒置顶发射OLED器件。单电子器件研究结果证明，以Cs2CO3修饰的Al电极功函数明显低于Mg∶Ag和Al电极，具有更好的电子注入效果。因此，除去微腔效应外，Al/Cs2CO3为反射电极的ITOLED器件性能的提高主要归因于Al/Cs2CO3阴极的有效电子注入。

以ADN为基质，分别以不同掺杂剂制备了四种蓝色有机发光器件，器件结构为：CuPc(12 nm)/NPB(40 nm)/AND∶Dopant(50 nm)/Alq(12 nm)/LiF(4 nm)/Al。掺杂剂有：BCzVB(amino-substituted distyrylarylene derivatives)、TBPe、BCzVBi和DSA-ph四种。研究了最佳掺杂浓度以及器件的亮度、电流密度、效率和色坐标等电学特性和光学特性。其中掺杂BCzVB制备了色纯度高、低电流猝灭性的蓝色有机发光器件，色坐标达到x=0.146,y=0.162，最大亮度为11600 cd/m2(15 V)，电流效率为2.8 cd/A，流明效率为1.79 lm/W；以ADN为基质，分别以TBPe、BCzVBi和DSA-ph为掺杂剂，制备了另外三种对比器件。器件ADN∶TBPe色坐标为x=0.162,y=0.222(蓝绿光)，效率随电流的增加而降低很快；器件ADN∶BczVBi有较好的色纯度(色坐标：x=0.164,y=0.146)，但电流效率较低：2.03 cd/A，效率随电流的增加降低幅度也较快。器件ADN∶DSA-ph效率较高为8 cd/A，效率随电流增加变化幅度不大，但色纯度比较差(x=0.153，y=0.306)，适合于做白色有机发光器件。