1 天津大学 电子信息工程学院, 天津 300072
2 天津工业大学 信息与通信工程学院, 天津 300161
采用无锡华润上华(CSMC) 0.5 μm 标准CMOS工艺,设计并制备了一种新型的高发光功率载流子注入型三端Si-LED器件。该器件在p型衬底上进行n+掺杂,与p衬底形成两个相对的n+p结,其中一个结正向偏置,发出峰值波长在1 100 nm附近的红外光;另一个结同样正偏,作为注入结对发光进行调制。测试结果显示:第三端注入载流子明显增强了总体的发光功率,在10 mA偏置电流、3 V调制电压下,可获得1 nW的光功率,与单结相比提高了两个数量级。由于工作电压低,该器件可与目前主流的CMOS工艺共电源单芯片集成,在光电集成领域具有一定的应用前景。
硅基LED 标准CMOS 发光器件 正向注入发光 光电集成 Si-LED standard CMOS light emitting device carrier injection OEIC
1 13th Institute of China Electronic Technology Group Corporation, Shijiazhuang 050051, China
2 Institute of RF&OEICs, Southeast University, Nanjing 210096, China
3 Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China
InP/InGaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) PIN photoreceiver opto-electronic integrated circuit (OEIC) Frontiers of Optoelectronics
2008, 1(3): 336
Institute of Semiconductor, Shandong Normal University, Jinan 250014, CHN
SiC Amorphous SiC Porous SiC Ion implantation OEIC
Institute of Semiconductors, Academia Sinica, Beijing 100083, CHN
OEIC Integrated Optics Semiconductor Device Technology Diffusion