提出了一种基于多光混频产生平坦毫米波噪声的方法。通过宽带放大自发辐射(ASE)光源，滤出多个具有不同中心波长的高斯型噪声光谱，利用宽带光电探测器，对多个具有不同中心波长的噪声光谱进行了混频以产生平坦毫米波噪声。仿真结果表明，所提方案能够在大频率范围内产生平坦的毫米波噪声，如F波段(90～140 GHz)和G波段(140～220 GHz)。为了定量地比较毫米波噪声的质量，定义了相对平坦度为某个频率范围内产生噪声功率的起伏与其平均功率之比。实验结果表明，产生的毫米波噪声的相对平坦度低至0.46[@(35±15)GHz]。

以正硅酸乙酯与γ-(2,3-环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷为前驱体, 应用溶胶-凝胶技术, 合成了Tm3+离子掺杂的有机-无机复合材料。从吸收光谱特性出发, 应用Judd-Ofelt理论, 计算得到了Tm3+离子的J-O强度参量(Ω2, Ω4, Ω6)及Tm3+离子各激发能级的自发辐射跃迁概率、荧光分支比及辐射寿命等光谱参量。根据McCumber理论计算了Tm3+离子能级3H6←→3F4(1.8 μm)跃迁的吸收截面和受激发射截面, 同时, 根据所获得的吸收截面、发射截面以及掺杂离子浓度等参数获得了Tm3+离子在凝胶玻璃中的增益截面函数。与其它玻璃掺杂基质比较可知, Tm3+掺杂的有机改良硅酸盐玻璃在~1.8 μm和~2.0 μm波段的中红外激光中有潜在的应用前景。

用坩埚下降法生长获得了尺寸为φ25 mm×90 mm、Tm2O3初始掺杂摩尔分数为0.5％的CdWO4单晶。晶体的颜色由上部血红色逐渐加深至下部的黑褐色。对不同部位的晶体薄片进行800 ℃的氧化处理，测定了处理前后不同部位的吸收光谱和FTIR红外光谱。经氧气退火处理后，由于氧空位缺陷减少，晶体的颜色明显变淡。在吸收光谱中观测到421,684，805 nm的吸收带。其中421 nm的吸收峰随退火温度的升高而逐步减弱，经800 ℃处理后基本消失。在808 nm激光二极管激发下，观察到中心波长为1.5 μm和1.8 μm的荧光发射，分别对应于Tm3+的3H4→3F4，3F4→3H6的能级跃迁。

以建立在能量守恒定律得到的塔克(Tauc)关系为出发点，推算出一个三参数方程用来以光谱实验数据获得更加精确和可靠的材料的禁带宽度。禁带宽度Eg、材料性质指数n 及取决于跃迁种类的常量A 自然而然地以参数形式出现在这个参数方程中。于是当对实验数据进行最小二乘方非线性拟合后，就能得到表征材料特性的关键指标禁带宽度Eg、材料性质指数n 和取决于跃迁种类的常量A 的最佳值。应用结果表明该方法能够非常精确、方便、快速地获取材料的禁带知识，很有可能是一种在半导体材料研究方面得以应用的好方式。

测量了Eu³⁺(lmol%)掺杂(60－χ)Bi₂O_3－χ TeO₂－30B₂O₃－10ZnO(χ=5，10，20，30，摩尔百分比)玻璃的吸收光谱、发射光谱、激发光谱以及声子边带谱．根据稀土离子Eu³⁺光学跃起矩阵元的特点，从发射光谱获得了Eu³⁺光学跃起的J－O参数Ω₂与Ω₄．结果显示，强度参量Ω₂随着Bi₂O₃量的增加与TeO₂量的减少而减小，表明材料的对称性提高，Eu－O键强减弱，共价性减弱．随着Bi₂O₃量的增加，电一声子偶合减弱，材料的热稳定性大幅度提高．

本文采用半自洽场(semi-SCF) 自由Ni2+的3d轨道波函数、点电荷-偶极子模型和Ni2+-6X-(X=F,Cl,Br,I)络合物的μ-κ-α模型,建立了结构参数与光谱、EPR谱之间的定量关系,利用完全对角化方法,由光谱和电子顺磁共振(EPR)谱,确定了CsMgBr3:Ni2+晶体在77K温度时的局域结构参数,统一解释了CsMgBr3:Ni2+晶体的局域结构、光谱和EPR谱.所得理论结果与实验值符合得很好.此外,还讨论了晶体局域结构发生畸变的原因.

通过选择合适的化学原料(Li₂O:48.6mol%, Nb2O5:51.4mol%)、控制生长速度(<3 mm/h)及固液界面的温度梯度(20～40℃/cm)与温场,用坩埚下降法成功地生长出了Zn、Cr双掺杂初始浓度分别为3 mol%、0.1 mol%,以及6 mol%、0.1 mol%的大尺寸铌酸锂晶体.生长的晶体无宏观缺陷,在He-Ne激光的照射下,无散射中心.测定了晶体的宽带荧光光谱(700～1200 nm)及R带(710～740 nm)的精细变温光谱.这些R带的光谱线由Cr离子所取代的Li(Cr³⁺Li)与Nb(Cr³⁺Nb)的发光中心以及声子辅助吸收所致.

本文采用半自洽场(semi-SCF) 自由Ni2+的3d轨道波函数、点电荷-偶极子模型和Ni2+-6X-(X=F,Cl,Br,I)络合物的μ-κ-α模型,建立了结构参数与光谱、EPR谱之间的定量关系,利用完全对角化方法,由光谱和电子顺磁共振(EPR)谱,确定了CsMgCl₃:Ni²⁺晶体的局部结构参数,统一解释了CsMgCl3:Ni2+晶体的吸收光谱和EPR 谱.此外,还讨论了高阶微扰方法、参量拟合方法等问题.理论计算结果与实验值符合得很好.

研究了系列Ce∶Fe掺杂以及不同后处理态(生长态、还原态和氧化态)铌酸锂晶体的透过率光谱和光折变全息存储特性。实验结果表明单掺Ce铌酸锂晶体具有较好的图像存储质量和较宽的透过率光谱范围，二波耦合增益相对较低；高掺杂铌酸锂样品的透过率光谱范围较窄,光折变二波耦合增益较低。晶体的后处理对铌酸锂样品的光折变特性影响明显，双掺Ce∶Fe还原态铌酸锂晶体具有较高的二波耦合增益；氧化态样品具有较大的透过率光谱范围；还原态样品具有较大的光折变二波耦合增益特性。实验结果还表明在同种样品中难于同时获得大的二波耦合增益和图像存储质量。