发光学报, 2014, 35 (4): 465, 网络出版: 2014-05-08   

半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响

Thermodynamic Impact on Total Dose Effect for Semiconductor Components
丛忠超 1,2,3,*余学峰 1,2崔江维 1,2郑齐文 1,2,3郭旗 1,2孙静 1,2周航 1,2,3
作者单位
1 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所, 新疆 乌鲁木齐830011
2 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 新疆 乌鲁木齐830011
3 中国科学院大学, 北京100049
基本信息
DOI: 10.3788/fgxb20143504.0465
中图分类号: TN386.1
栏目: 器件制备及器件物理
项目基金: 西部博士资助项目(XBBS201219)资助
收稿日期: 2013-11-14
修改稿日期: 2013-12-07
网络出版日期: 2014-05-08
通讯作者: 丛忠超 (jeocllove@163.com)
备注: --

丛忠超, 余学峰, 崔江维, 郑齐文, 郭旗, 孙静, 周航. 半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响[J]. 发光学报, 2014, 35(4): 465. CONG Zhong-chao, YU Xue-feng, CUI Jiang-wei, ZHENG Qi-wen, GUO Qi, SUN Jing, ZHOU Hang. Thermodynamic Impact on Total Dose Effect for Semiconductor Components[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2014, 35(4): 465.

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