半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响

丛忠超; 余学峰; 崔江维; 郑齐文; 郭旗; 孙静; 周航

doi:doi:10.3788/fgxb20143504.0465

发光学报, 2014, 35 (4): 465, 网络出版: 2014-05-08

半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响

Thermodynamic Impact on Total Dose Effect for Semiconductor Components

丛忠超 ^1,2,3,*余学峰 ^1,2崔江维 ^1,2郑齐文 ^1,2,3郭旗 ^1,2孙静 ^1,2周航 ^1,2,3

作者单位

¹ 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所, 新疆乌鲁木齐830011

² 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 新疆乌鲁木齐830011

³ 中国科学院大学, 北京100049

补充材料

丛忠超, 余学峰, 崔江维, 郑齐文, 郭旗, 孙静, 周航. 半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响[J]. 发光学报, 2014, 35(4): 465. CONG Zhong-chao, YU Xue-feng, CUI Jiang-wei, ZHENG Qi-wen, GUO Qi, SUN Jing, ZHOU Hang. Thermodynamic Impact on Total Dose Effect for Semiconductor Components[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2014, 35(4): 465.