半导体光电, 2019, 40 (4): 534, 网络出版: 2019-09-20
Mo掺杂SnO2光电特性的第一性原理研究
Study on Photoelectric Characteristics of Mo-doped SnO2 with First-Principles
基本信息
| DOI: | 10.16818/j.issn1001-5868.2019.04.017 |
| 中图分类号: | O47 |
| 栏目: | 材料、结构及工艺 |
| 项目基金: | 江苏省六大人才高峰项目(JXQC_006)、 江苏省高校优先学术项目开发资助项目.《半导体光电》2019年8月第40卷第4期许春辉 等: Mo掺杂SnO2光电特性的第一性原理研究 |
| 收稿日期: | 2019-03-06 |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2019-09-20 |
| 通讯作者: | |
| 备注: | -- |
许春辉, 杨平. Mo掺杂SnO2光电特性的第一性原理研究[J]. 半导体光电, 2019, 40(4): 534. XU Chunhui, YANG Ping. Study on Photoelectric Characteristics of Mo-doped SnO2 with First-Principles[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2019, 40(4): 534.
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