Mo掺杂SnO<sub>2</sub>光电特性的第一性原理研究

许春辉; 杨平

doi:doi:10.16818/j.issn1001-5868.2019.04.017

半导体光电, 2019, 40 (4): 534, 网络出版: 2019-09-20

Mo掺杂SnO₂光电特性的第一性原理研究

Study on Photoelectric Characteristics of Mo-doped SnO₂ with First-Principles

许春辉杨平

作者单位

江苏大学机械工程学院, 江苏镇江 212013

补充材料

许春辉, 杨平. Mo掺杂SnO₂光电特性的第一性原理研究[J]. 半导体光电, 2019, 40(4): 534. XU Chunhui, YANG Ping. Study on Photoelectric Characteristics of Mo-doped SnO₂ with First-Principles[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2019, 40(4): 534.