[1] 江剑平. 半导体激光器,北京:电子工业出版社,2001年

[2] 方高瞻, 马骁宇, 王国宏等. 准连续17 kW 808 nm GaAs/AlGaAs 叠层激光二极管列阵. 中国激光,2004,31(6):650

[3] 朱东海,梁基本,徐波等. 808nm GaAs/AlGaAs 大功率半导体激光器波长的影响因素及控制. 半导体学报,1997,18(2):108～110

[4] Endriz J G,Vakili M. High power diode laser arrays. J. Q. E., 1992, 28:952

[5] 谢红云,陈国鹰,安振峰等. 大功率半导体激光器阵列稳态温度分布分析. 半导体学报, 2003,24(10):1084

[6] 肖建伟,刘宗顺,刘素平等. 准连续大功率二维层叠量子阱激光器列阵. 高技术通讯,1998, 8:1～2

[7] 陈少武,韩勤,胡传贤等. 大功率半导体激光器光纤耦合模块的耦合光学系统.半导体学报,2001,22(12):1572～1573

[8] 薄报学,高欣,王玲等. 808 nm 波长光纤耦合高功率半导体激光器. 中国激光,1999, 26(3):193～195

[9] 薄报学, 曲轶, 高欣等. 高功率阵列半导体激光器的光纤耦合输出. 光电子·激光,2001,12(5):468～470

[10] Endriz J G, Vakili M. High power diode laser arrays. J. Quant. Electron., 1992, 28:952

[11] He X, Ovtchinnikov A. Efficient high power reliable InGaAs/AlGaAs(940nm) monolithic laser diode arrays. Electron. Lett., 1999, 35:1739

[12] Wang X Q, Wang J, Burnham G. MBE-grown High-efficiency 808 nm Laser Diodes. Proc. SPIE, 1998, 3419:379

[13] 司磊,刘国军,王玉霞. 808nm 大功率量子阱激光器腔面镀膜实验研究.长春理工大学学报. 2004,27(1):26～27