针对不同超导水平磁场结构的磁力线分布对300 mm直拉硅单晶固液界面影响问题，本文采用一种基于格子Boltzmann方法的耦合热格子模型，解决温度场与速度场耦合建模问题，并对不同结构的超导磁场作用下的晶体生长进行了三维数值模拟。结果表明，采用单磁力线分布的超导磁场结构使得固液界面氧含量降低，但是容易引起熔体内部热分布不均匀；采用双磁力线分布结构能够有效地改善熔体内部沿晶体生长的轴向温度梯度和沿固液界面的径向温度梯度，然而，其对固液界面氧含量抑制作用较小。当晶转、埚转工艺作用时，超导单磁力线水平磁场结构明显优于超导双磁力线水平磁场结构，固液界面形状对称性随磁感应强度的增加而增强。