HfO2薄膜厚度达到纳米级别时，其光学性质会发生变化。光谱椭偏仪能够同时得到纳米尺度薄膜的厚度和光学常数，但是由于测量参数的关联性，光学常数的结果不准确可靠。本文采用溯源至SI单位的掠入射X射线反射技术对纳米尺度HfO2薄膜厚度进行准确测量，再以该量值为准确薄膜厚度参考值。利用光谱椭偏仪测量HfO2膜厚和光学常数时，参考膜厚量值，从而得到对应相关膜厚的薄膜准确光学参数。研究了以Al2O3作为薄膜缓冲层的名义值厚度分别为2，5，10 nm 的超薄HfO2薄膜厚度对光学性质的影响。实验结果表明，随着HfO2薄膜厚度的增加，折射率也逐渐增大，在激光波长632.8 nm下其折射率分别为1.901，2.042，2.121，并且接近于体材料，而消光系数始终为0，表明纳米尺度HfO2薄膜在较宽的光谱范围内具有较好的增透作用，对光没有吸收。

作为一种常规光谱测量技术, 拉曼光谱仪应用广泛并具有特定的校准方法。 主要面向激光共聚焦显微拉曼光谱仪, 概括介绍了激光共聚焦显微拉曼光谱仪的测量原理、 结构及主要组成部分, 重点介绍了激光共聚焦显微拉曼光谱仪的校准项目和校准过程, 重点是分光计(摄谱仪)校准和激光器激发波长校准。 在传统校准方法的基础上提出了一种更准确、 新的获得实际激发波长的方法, 即在Δν=0处校准的方法。 根据此新的激发波长校准方法测量单质硫的拉曼频移, 并将硫的拉曼频移值与美国材料与试验协会(ASTM)值比较。 结果表明此校准步骤正确, 从而进一步提出了一种更为合理的激光共聚焦显微拉曼光谱仪的校准程序。

手性指数是单壁碳纳米管(SWCNTs)亟待测量的重要参数之一, 不仅直接反映了SWCNTs的直径和手性角, 同时也反映了其电学特性。近红外荧光光谱法常用于指认碳纳米管的手性, 而该类荧光光谱仪缺乏通用的校准方法, 造成不同仪器测量结果缺乏可比性。面对该类荧光光谱仪, 概括介绍设备的原理及结构, 着重阐述了仪器的校准项目以及校准程序, 主要包括激发光路校准(激发单色器的校准)和发射光路校准(发射单色器的校准),通过氙灯标准谱图和激光玻璃标准谱图分别将其校准至467 nm和1 053 nm波长位置。校准完成后, 使用该类荧光光谱仪对单壁碳纳米管的手性进行指认, 同时使用紫外-可见-近红外光谱仪对同一样品进行手性指认, 两种方法的指认结果均为(11, 1)、(8, 7)、(10, 3)、(9,5)、(11, 3)、(8, 6)、(9,2)、(7, 6)、(8, 4)、(7, 5)、(10,2)。由手性指数指认结果的一致性可验证该校准程序准确可靠。