南开大学 电子信息与光学工程学院 微电子工程系,天津 300071
介绍了LPIN二极管及其在硅基等离子天线方面的应用,从理论上分析了LPIN二极管自加热效应及其对本征区载流子浓度的影响。仿真分析了不同SOI埋层材料对LPIN二极管本征区载流子浓度的影响。仿真结果显示,LPIN二极管的自加热效应会降低其本征区载流子浓度,通过改变埋层的材料,增加埋层的热导率,可以减弱自加热效应,从而增加本征区载流子浓度,提高硅基等离子天线效率。
硅基等离子天线 LPIN二极管 自加热效应 载流子浓度 埋层 siliconbased plasma antenna lateral PIN diode selfheating effect carrier concentration buried layer
南开大学 电子信息与光学工程学院 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室, 天津 300071
介绍了横向PIN二极管及其在硅基等离子天线方面的应用, 用一维理论分析了载流子大注入情况下横向PIN二极管本征区载流子浓度分布。对横向PIN二极管进行了物理建模, 仿真分析了本征区长度、二氧化硅埋层、电极长度、结区掺杂浓度及表面电荷对横向PIN二极管本征区载流子浓度的影响, 总结了横向PIN二极管的一般设计规则。
硅基等离子 天线 横向PIN二极管 载流子浓度 silicon-based plasma antenna lateral PIN diode carrier concentration
