1 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083
2 中国科学院大学，北京 100049
3 上海科技大学 物质科学与技术学院，上海 201210
制备并测试了II型中红外带间级联激光器，制备的器件在脉冲和连续工作模式下最高工作温度分别为275 K和226 K.80 K下器件激射波长为3.8 μm左右，阈值电流密度约17 A/cm2.对器件在连续工作模式下的自加热效应进行了分析，并利用有限元方法模拟了器件连续工作时的温度分布图.分析和模拟结果均表明自加热效应是限制器件连续工作温度的重要因素.提高散热性能将是进一步提升器件工作温度的有效手段.
带间级联激光器 中红外 分子束外延 interband cascade lasers mid-infrared rang molecular beam epitaxy(MBE) 红外与毫米波学报
2019, 38(4): 04408
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
2 上海科技大学 物质科学与技术学院,上海 201210
用投掷法和有限元差分法计算了单周期调制掺杂GaAs/AlGaAs双量子阱的能带结 构,得到基态能级与第一激发态的能级差为 43.3 meV,并由此推算得到产生载流子横向转 移效应的电场强度为1.2~1.8 kV/cm之间.采用 MBE 技术生长了所涉及的双量子阱结构, 通过优化退火条件,获得了较理想的金属—半导体接触条件.在此基础上,测得在电场强度 为 1.5 kV/cm时,电流—电压曲线呈现出负阻特性.该电场强度区别于GaAs耿氏效应的电 场强度,由此判定,产生微分负阻的机理是电子由高迁移率导电层到低迁移率导电层的横向 转移所致,即实空间转移.
微分负阻效应 实空间转移 GaAs/AlGaAs GaAs/AlGaAs negative differential resistance effect real space transfer
