1 西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071
2 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
3 湖南油中王有限公司,湖南,益阳,413000
4 武汉大学物理系,湖北,武汉,430072
分析了延迟击穿二极管(DBD,delayed breakdown diode)的物理机理.从该器件在负载上的输出脉冲幅度及上升时间两方面综合考虑,通过改变器件结构参数和物理参数(长度、面积、掺杂浓度、激励源等),模拟研究了不同激励源及不同负载情况下DBD特性的变化情况.结果表明: 上升时间对于面积和负载电阻均存在极小值,设计时面积和负载电阻应该选取该极值点对应的最佳值.n区长度存在最佳值,理论上应为器件加载在所需临界击穿电压值而且刚好处于穿通状态时的长度值;p+区和n+区的长度没有太大的影响,但应稍大于各自的穿通长度,浓度则尽量高;n区掺杂浓度越低越好,对激励源要求电流稍高于临界条件即可.
开关二极管 延迟击穿 脉冲锐化 脉冲功率器件 Switching diode Delayed breakdown diode Pulse-sharpening Pulsed power device
1 西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安710071
2 常德师范学院,电子学研究所,湖南,常德,415000
3 中国工程物理研究院,应用电子学研究所,四川,绵阳,621900
利用自行编制的半导体器件模拟程序mPND1D(采用时域有限差分方法,求解器件内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性方程组),对PIN二极管微波限幅器在高功率微波激励下的响应进行了计算,比较了不同条件下的计算结果,并对二极管微波响应截止频率作了探讨.计算结果表明:随着激励源幅值的升高,器件截止频率增大;随着脉冲长度减小,器件截止频率降低;随着器件恒定温度值升高,截止频率下降.
二极管限幅器 高功率微波 截止频率 diode limiter high power microwave cutoff frequency
