1 盐城工学院 材料工程学院, 江苏 盐城 224051
2 中国科学院上海硅酸盐研究所 透明与光功能无机材料重点实验室, 上海 201800
生长了Mg、Ca离子掺杂(提拉法)和Cl离子掺杂(坩埚下降法)的Bi4Ge3O12(BGO)晶体,测试了晶体样品的吸收谱、光致发光谱和发光衰减时间等.这些掺杂的BGO晶体的可见光发光比纯BGO有所减弱,但在808 nm和980 nm激光二极管(LD)激发下出现了纯BGO几乎没有的近红外发光,归因于改变了能级的Bi离子或可能出现的低价态Bi离子.掺杂对近红外发光的影响跟掺杂离子价态有关,同价态的掺杂离子对近红外发光的影响相差不大.
光致发光 近红外 Bi4Ge3O12 Bi4Ge3O12 photoluminescence near infrared
1 盐城工学院 材料工程学院, 江苏 盐城 224051
2 中国科学院上海硅酸盐研究所 透明与光功能无机材料重点实验室, 上海 201800
用下降法制备了Bi4Ge3O12晶体, 发现生长出来的圆柱状晶体外侧呈现淡红色。对红色Bi4Ge3O12晶体进行了低温(至8 K)下的近红外发射光谱及衰减寿命等测试分析。发现低温时(200 K以下)红色Bi4Ge3O12在1 150 nm等波长处有较强的发射峰, 强度随温度降低而增强, 衰减时间为几百μs。
红色Bi4Ge3O12 低温 发光 red Bi4Ge3O12 low temperature luminescence
1 上海大学 材料科学与工程学院, 上海200072
2 中国科学院上海硅酸盐研究所 透明与光功能无机材料重点实验室, 上海201800
通过提拉法制备了W∶Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体, 测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等。W∶Bi4Ge3O12的可见光发光强度比纯Bi4Ge3O12有所增强, 而且N2中退火处理对W∶Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用。Bi12GeO20 在N2中退火处理后在745 nm附近有发光峰, 其衰减时间为10 μs左右。两种晶体退火处理后发光均增强, 认为是低价Bi离子发光所致。
光致发光 退火 W∶Bi4Ge3O12 W∶Bi4Ge3O12 Bi12GeO20 Bi12GeO20 photoluminescence anneal
