近年来，激光诱导的多相化学反应已作为多种新颖加工工艺，在微电子元件生产中得应用。激光诱导化学的研究本身又有助,于对固体表面光控制反应本质产生新的认识与理解。
制作尺寸小到1微米的构件是电气、光学和机械系统朝着提高复杂性和微型化方向发展的一个关键问题。微结构工艺从半导体工业的研究中已经获得很多好处，通过这种研究，平面半导体表面的微型制作已发展成一种髙度发展的技术。半导体工艺以连续应用掩模工艺为基础，该种工艺控制着材料的淀积,并以很高的空间分辨率进行清除操作。虽然，这些工艺过程非常适用于同一平面型器件的大量生产，但是它们不很适用于非平面表面的操作，也不适用于表面组成和几何形状需有灵活性的场合。
本文报道了一个放电激发N2激光器的设计与工作特性，该激光能够产生峰功率超过5兆瓦、持续时间为4亳微秒（半峰全宽）的337亳微米的辐射脉冲。输出的激光束重、现性好、均匀、截面大亳米）。辐射率的峰值大于3×1011瓦/球面度。
激光与光电子学进展
1983, 20(11): 14
近年来，激光退火与离子注入技术相结合已在半导体和金属物理领域中获得应用。讨论了激光与固体表面相互作的物理机制。报道了有关激光照射前放射性原子注入到表面的扩散的研究情况。本文报道了激光退火的现状，这种工艺过程对于辐射损伤无定形硅重结晶的重要性以及在半导体物理中的应用前景。
