有机发光二极管(OLED)器件性能的提高一直是有机电致发光领域备受关注的研究课题之一, 通过优化OLED器件中的载流子平衡是提高OLED器件性能的一个非常重要的手段。但是, 调控空穴传输层或电子传输层中的分子取向, 从而优化器件中的载流子平衡未被关注。本文通过对空穴传输层进行不同温度的退火处理来改变空穴传输层中的分子取向, 研究分子取向对其空穴迁移率和OLED器件性能的影响。研究发现, 退火温度的升高使得空穴传输层中具有垂直取向的分子的比例增加, 促进了空穴迁移率的提高。当把具有不同分子取向的空穴传输层应用于OLED器件时, 可以清楚地观察到载流子平衡因子对器件性能的影响。

为了提高以TADF材料作为主体、天蓝色荧光材料作为客体的混合薄膜的OLED器件光电性能, 我们调整了器件结构, 使主体材料发挥其优势。制备了基本结构为ITO/NPB(40 nm)/DMAC-DPS∶x%BUBD-1(40 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的OLED器件。研究了主-客体材料在不同掺杂浓度下的OLED器件的光电特性。为了提高主体材料的利用率, 在空穴传输层和发光层之间加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层; 然后, 在阳极和空穴传输层之间加入HAT-CN作为空穴注入层, 形成HAT-CN/NPB结构的PN结, 有效降低了器件的启亮电压(2.7 V)。测量了有无HAT-CN的单空穴器件的阻抗谱。结果表明, 在最佳掺杂比例(2%)下, 器件的外量子效率(EQE)达到4.92%, 接近荧光OLED的EQE理论极限值; 加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层, 使得器件的EQE达到5.37%; HAT-CN/NPB结构的PN结有效地降低了器件的启亮电压(2.7 V), 将OLED器件的EQE提高到5.76%; HAT-CN的加入提高了器件的空穴迁移率, 降低了单空穴器件的阻抗。TADF材料作为主体材料在提高OLED器件的光电性能方面具有很大的潜力。

研究设计双锥厚针孔结构体, 利用小孔成像测量高能强流直线感应加速器光源的焦斑。建立数值计算模型, 根据实际光源特性和实验布局条件, 模拟光子穿过厚针孔结构的辐射成像过程, 分析光源尺寸、分布和偏轴等对焦斑测量的影响。理论计算结果显示对光源物面的空间分辨率可达5 lp/mm。

神龙二号加速器可以产生三个脉冲宽度约80 ns(FWHM)、脉冲间隔约500 ns的X射线, 为了获得每个脉冲X射线剂量, 采用康普顿探测器和热释光剂量计相结合的方法进行测量。针对神龙二号加速器X射线能谱分布, 采用MCNP程序优化设计康普顿探测器, 测量多脉冲X射线信号, 获得每个脉冲的剂量比例, 应用热释光剂量计测量多脉冲X射线总剂量, 由总剂量和剂量比例准确得到每个脉冲X射线剂量, 实现神龙二号加速器多脉冲X射线剂量测量。