南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心, 江西 南昌 330047
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的InGaN/GaN蓝光LED薄膜并制备成垂直结构发光二极管(VLEDs), 研究了p层厚度即p面金属反射镜与量子阱层的间距对LED出光效率的影响, 并采用F-P干涉模型进行了理论分析。结果显示, 光提取效率受d影响很大, 随d的增加呈现类似阻尼振动的变化趋势, 分别在0.73λn处和 1.01λn处取得第一个极大值和极小值, 且前者是后者两倍多。因此优化p层厚度可以有效提高LED的出光效率。
垂直结构 出光 p层厚度 LED LED GaN GaN vertical structure light extraction thickness of p-type GaN
