制备了3.6,5.1和6.0 nm三种尺寸的胶体PbSe量子点,并对其光学特性进行实验研究.在室温条件下,实验发现小尺寸胶体PbSe量子点的光致发光光谱随温度升高发生红移;大尺寸胶体PbSe量子点的光致发光光谱随温度升高发生蓝移.以PbSe量子点温度依赖的光致发光光谱特性为基础,提出一种新型的集成电路芯片温度检测方法.这种新型的温度检测方法是将胶体PbSe量子点沉积在集成电路板表面,使用激光器发射出平行激光束,使芯片表面的胶体PbSe量子点层光致发光,通过红外光谱仪接收光致发光光谱,实现温度的检测;利用图像采集系统对芯片表面特定微小区域成像,实现微米尺度区域的温度检测.实验结果表明,测量精度为±3 ℃,其相对误差不大于5％.

ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点是一种无毒, 无重金属的“绿色”半导体纳米材料。 在研究中, 制备了三种尺寸的ZnCuInS/ZnSe/ZnS核壳量子点, 其直径分别为3.3, 2.7, 2.3 nm。 通过测量不同尺寸的ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的光致发光光谱, 其发射峰值波长随尺寸的减小而蓝移。 其吸收峰值波长和发射峰值波长分别是510, 611（3.3 nm）, 483, 583（2.7 nm）以及447, 545 nm（2.3 nm）。 ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点具有显著的尺寸依赖效应。 ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的斯托克斯位移分别为398 meV（3.3 nm）, 436 meV（2.7 nm）以及498 meV（2.3 nm）, 这样大的斯托克斯位移证明, ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的发光机制与缺陷能级有关。 同时, 对直径为3.3 nm的ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点进行了温度依赖的光致发光光谱的测量, 当温度为15～90 ℃时, 该量子点发射峰值波长随温度的升高而红移, 发光强度随温度的升高而降低, 说明ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点是以导带能级与缺陷能级之间跃迁为主的复合发光。

ZnCuInS/ZnS量子点是一种无重金属、 “绿色”半导体纳米材料。 在研究中, 制备出尺寸为3.2 nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点, 并说明它是施主－受主对复合发光。 通过测量ZnCuInS/ZnS量子点的光致发光光谱, 其发射峰值波长为620 nm、 半宽度是95 nm的红光。 同时, 还制备出Poly-TPD有机薄膜, 其发光光谱是峰值波长为480 nm的蓝光。 所以, ZnCuInS/ZnS量子点和Poly-TPD发光颜色具有互补性。 在ZnCuInS/ZnS量子点薄膜层上包覆一层poly-TPD薄膜后, 二者发光颜色互补。 在恰当的偏置电压下, 可以得到较好的白光光谱。 计算表明, 其色坐标是(0.336, 0.339), 颜色指数是92。