对现有柱矢量涡旋光束强聚焦公式的不足进行修正，数值模拟了不同拓扑核柱矢量涡旋光束的强聚焦场分布.结果表明：调节偏振旋转角、数值孔径以及遮挡通光孔径可以有效地构造平顶光束与暗通道.调节偏振旋转角能改变涡旋光束径向部分与角向部分的相对强度，实现平顶聚焦；增加孔径遮挡值可以在相对较小的数值孔径下形成平顶光束.当孔径遮挡较大时可以在高数值孔径下实现更窄的暗通道.

由于圆偏振涡旋光束可以表征为柱坐标的径向矢量光束和角向矢量光束的线性叠加，因而在研究其聚焦特性时，必须考虑具有拓扑核的径向矢量光束聚焦后有角向分量和角向矢量光束聚焦后有径向分量。在修正关于圆偏振涡旋光束强聚焦公式的基础上，重新模拟计算了不同拓扑核的圆偏振涡旋光束的强聚焦特性。结果显示不仅单自旋手性的圆偏振涡旋光束聚焦能形成平顶光束，而且两束不同的自旋手性的涡旋光束的叠加聚焦也可以实现平顶光束。通过调节光束的振幅、束腰半径以及遮挡通光孔径可以有效地改变平顶光束的半宽。

为了研究保护气体对奥氏体不锈钢焊接接头力学性能的影响，在相同线能量条件下对加保护气体与不加保护气体两种焊接方式进行了对比研究。采用Nd:YAG 激光器对厚度为0.7 mm 的奥氏体不锈钢进行激光焊接，用扫描电子显微镜、显微硬度计、材料试验机等仪器对焊接接头的微观组织及力学性能进行表征及测试。结果表明，在相同的激光工艺参数下，两种焊接方式均实现完全焊透，且焊缝成型良好。不加保护气体时，随着焊接速度的降低，接头抗拉强度随之降低，最多降低了20%。加入保护气体后，接头的抗拉强度变化平稳，均为母材强度的90%以上。

基于Richards-Wolf的矢量衍射积分公式,研究了贝塞尔高斯径 向偏振光束在衍射光学元件 (Diffractive optical elements, DOE) 的调制下入射到由 两个相同高数值孔径透镜组成的4pi聚焦光学系统中的聚焦特性。由于DOE不同环之间的相互干涉, 出现不同于原贝塞尔高斯径向偏振矢量光束的新聚焦特性。Matlab数值模拟结果显示贝塞尔高斯径向偏 振光束经过此光学系统后,在焦点附近产生沿光传播方向的多个光球,其光球的个数与DOE的环数以及不 同环的大小有关。若调节4pi聚焦系统两侧入射光束的整体相对相位还可以实现多个光球整体沿纵向方向的移动, 实现了亮光链的作用,这对于矢量光束应用在光学显微镜、光存储和粒子操控等方面具有十分重要的意义。

自行设计并搭建了一套全自动荧光粉涂覆系统。针对涂覆工艺, 研究了有无真空搅拌除泡装置对荧光粉涂覆效果的影响, 结果发现未经真空搅拌除泡处理的荧光粉涂覆层厚度均匀性较差, 且涂覆层中有明显的气泡, 气泡直径可达1mm; 经过真空搅拌除泡处理后涂覆层厚度均匀性好且涂覆层中无气泡。利用LED光学参数综合测试仪分析了有无真空搅拌除泡装置对LED发光特性的影响, 结果发现真空搅拌除泡工艺能明显提升LED光谱色度一致性。

在紫外成像系统中，紫外焦平面阵列的非均匀性是影响成像质量的重要因素。介绍了标准的神经网络算法对焦平面阵列非均匀性的校正，并针对标准的神经网络算法的收敛速度慢的缺点，提出了改进算法。通过matlab 对算法进行仿真，结果表明BP 神经网络(Back-Propagation Neural Network)算法对焦平面阵列的非均匀性有良好的校正效果，改进后的算法效率有了较大地提高。神经网络非均匀性校正算法可以广泛的运用于其他焦平面阵列的非均匀性的校正中。

本文比较了连续矾酸钇倍频激光(输出波长532 nm),脉冲Nd:YAG倍频激光(输出波长532 nm、脉宽8 ns、重复频率10 Hz)作用下,偶氮侧链液晶聚合物薄膜的光致双折射效应和光记录特性.根据实验结果和数值模拟情况[8],引入温度效应,提出分子团积和主链链段取向效应,给出了基于光致双折射效应长久光信息记录的解释.

本文实验研究了偶氮侧链聚合物液晶薄膜(P-CN)的光致双折射和光存储性质.在连续532 nm激光作用下,该液晶薄膜(P-CN)表现出显著的光致双折射(△n～10-2).基于光致双折射效应,实验中获得了长久的、高对比度的光信息记录.

用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟(In₂O₃:Mo,IMO)薄膜在可见光区域的平均透射率(含1.2 mm厚玻璃基底)超过80%,电阻率最低达1.7×10^-4 Ω^.cm.采用等离子振荡波长法、van-der-Pauw法和光谱拟合法等三种方法对IMO薄膜和ITO薄膜的载流子浓度进行了测量和比较,结果表明IMO薄膜的载流子浓度还不到ITO薄膜的三分之一.因此,IMO薄膜对可见光的吸收小,有很大的发展空间可以通过提高载流子浓度而进一步提高电导率,对近红外线也有较高的透射率,有利于拓展透明导电薄膜的应用领域.

首次引入复合效应对不同价态差的掺杂氧化物透明导电(TCO)薄膜的载流子浓度及其迁移率进行了分析。对于较高温度下制备的TCO薄膜，对载流子迁移率起主要作用的散射机制是带电离子散射和电中性复合粒子散射。带电离子散射迁移率与带电离子的有效电荷数大致呈反比关系，在载流子浓度相同的情况下，随着复合几率增大，价态差分别为3和4的TCO薄膜中的带电离子的平均有效电荷分别趋于1和2，因此带电离子散射迁移率也随之增大，分别趋于价态差为1和2的TCO薄膜的带电离子散射迁移率。而对于价态差为3的TCO薄膜，由于电中性复合粒子数量较少，对载流子的散射最弱，因此在复合几率较大的情况下，价态差为3的TCO薄膜有可能获得比价态差为1的TCO薄膜更高的载流子迁移率。