1 电子科技大学 光电科学与工程学院, 成都 610054
2 电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室, 广东 中山 528402
3 电子科技大学 中山学院 电子信息学院, 广东 中山 528402
4 电子科技大学 电子科学与工程学院(示范性微电子学院), 成都 610054
对真空抽滤法进行了改进, 制备出高均匀性且只存在极少量纳米银微粒的纳米银线透明导电薄膜.将纳米银线在同一片衬底上依次进行真空抽滤和压制并重复多次, 然后对制备的透明导电薄膜的表面形貌以及透光率和方阻的分布进行了讨论.结果表明通过三次压制制备出的导电薄膜的透光率约为82.7%, 平均方阻为7.47 Ω/sq.
柔性透明导电薄膜 纳米银线 纳米银粒子 真空抽滤 方阻 透光率 Flexible transparent conductive films Silver nanowires Silver nanoparticles Vacuum filtration Sheet resistance Transmittance 光子学报
2018, 47(11): 1131002
1 辽宁科技大学 化学工程学院, 辽宁 鞍山 114051
2 辽宁科技大学 表面工程研究所, 辽宁 鞍山 114051
3 鞍钢集团钢铁研究院 海洋装备用金属材料及其应用国家重点实验室, 辽宁 鞍山 114051
室温下采用射频磁控溅射氧化锌(ZnO)粉末靶、银(Ag)靶, 在玻璃衬底上制备ZnO/Ag/ZnO透明导电薄膜。首先, ZnO厚度为30 nm时, 改变Ag厚度制备3层透明导电薄膜, 研究Ag层厚度及膜层间配比对光电性能的影响; 其次, 按ZnO∶Ag厚度比为30∶11比例制备不同厚度的3层透明导电薄膜, 研究多层厚度对薄膜光电性能的影响。结果表明: Ag厚度为8 nm及11 nm的ZnO/Ag/ZnO表面相对平整, 结晶程度较好, 在可见光范围内最高透过率达到90%及86%, 并且方块电阻为6 Ω/□及3.20 Ω/□, 具有优良的光电性; 当按配比制备ZnO/Ag/ZnO 3层膜时, 增加ZnO厚度对Ag层的增透作用反而减弱, 同时增加Ag层厚度也会降低3层薄膜的整体光学性。
透明导电薄膜 射频磁控溅射 粉末靶 镀膜 transparent conductive films RF magnetron sputtering powder target coating
1 平顶山工业职业技术学院 自动化与信息工程学院, 河南 平顶山 467000
2 天津大学 电气自动化与信息工程学院, 天津 300072
3 天津大学 力学系 天津市非线性动力学与控制重点实验室, 天津 300350
4 天津大学 微电子学院, 天津 300072
为获得高性能的柔性透明导电薄膜, 采用磁控溅射技术在柔性PC衬底上制备出了STO (30 nm)/Ag/STO (30 nm)复合结构透明导电薄膜.分别对不同中间Ag层厚度薄膜的结构、光学和电学性质进行了研究.研究发现：随着中间Ag层厚度的增加, 可见光区的平均透过率先增大后减小, 电阻率和方块电阻持续减小; 当中间Ag层厚度为11 nm时, 复合结构透明导电薄膜具有最佳的品质因子为14.23×10－3 Ω－1, 此时, 其可见光区平均透过率为82%, 方块电阻为9.2 Ω/sq..
薄膜 光学材料 磁控溅射沉积 透明导电薄膜 柔性 Thin films Optical materials Magnetron sputtering deposition Transparent conductive films Flexible
景德镇陶瓷大学机械与电子工程学院, 江西 景德镇 333403
采用射频磁控溅射法,在不同溅射功率下沉积ZnO∶W薄膜层55 min,然后通入体积分数为5%的氢气,并保持溅射参数不变,表面氢化处理8 min,获得了表面具有绒面结构的ZnO∶W透明导电薄膜。对样品的显微形貌、结构和表面绒度等性能进行了测试与分析,结果表明:在200 W的溅射功率条件下,氢化处理8 min获得的ZnO∶W样品表面绒度达到92.82, 同时具备优异的导电性能(电阻率均值3.93×10
-4 Ω·cm)。这种表面绒面结构有望进一步提高ZnO透明导电电极电池的转换效率。
薄膜 ZnO∶W透明导电薄膜; 磁控溅射 氢化处理 绒度结构 陷光效应
1 中国工程物理研究院激光聚变研究中心, 四川 绵阳 621900
2 中国工程物理研究院研究生部, 北京 100088
透明导电薄膜作电极的普克尔盒电光开关是新一代重频激光驱动系统的理想单元。高重频会在电光晶体内产生热沉积, 引起弹光效应, 热光效应和晶体形变, 使透射光束的波前产生畸变。针对能量千焦耳级, 重复频率16 Hz率的激光系统, 对薄膜电极普克尔盒采用液冷技术进行热管理; 建立普克尔盒的热分析模型, 利用有限元算法, 分别研究晶体厚度和换热系数对波前畸变的影响, 得到晶体厚度的最优值。并模拟了开关晶体上的温度分布、应力分布和机械形变, 分析热光效应、机械形变和弹光效应对光束波前和退偏损耗的影响, 结合波前畸变和退偏损耗的要求得到优化的参数。
电光开关 热管理 透明导电薄膜 高平均功率 波前畸变 退偏损耗 electro-optical switch thermal management transparent conductive films high average power wavefront distortion depolarization loss 红外与激光工程
2016, 45(9): 0921001
1 中国工程物理研究院激光聚变研究中心, 四川 绵阳 621900
2 中国工程物理研究院研究生院, 北京 100088
透明导电膜电光开关通过合理的结构设计可以实现高效的热管理，是一种理想的高平均功率开关器件。建立了透明导电薄膜电光开关的模型，采用优化的开关设计参数分析开关的时间特性和热效应。仿真结果表明,开关上升时间达到标称时间要求；在高平均功率负荷下，晶体温升所导致的退偏损耗对开关性能的影响很小。该构型的薄膜电极电光开关可以应用于重复频率运转下的高功率激光系统。
光学器件 电光开关 热管理 透明导电薄膜 高平均功率 激光与光电子学进展
2016, 53(1): 012303
采用射频磁控溅射法在石英衬底上沉积了AZO和ITO透明导电膜，然后采用溶液化学法以两种导电膜为晶种分别生长ZnO纳米线。利用扫描电镜和X射线衍射等测试手段对样品进行表征，进而通过一种垂直测试结构，研究其紫外光电导特性的差异。结果表明：晶种对纳米线的生长起决定性作用，只有在结晶良好并且择优取向的AZO膜上才能生长出垂直于衬底且取向一致的ZnO纳米阵列，而在ITO膜上，ZnO纳米线的取向具有很大的随机性。AZO上垂直生长的纳米线紫外响应速度较快，且呈现良好的欧姆接触特性，但两种样品恢复时间都较长，分析认为是纳米线曝光面积不同和内部的缺陷、表面态等原因造成的。
透明导电膜 ZnO纳米线 溶液化学法 紫外光电导特性 transparent conductive films ZnO nanowires solution chemical method UV photoconductive properties
透明导电氧化物(TCO)薄膜In2O3∶Sn和SnO2∶F都已经发展成熟,分别大规模应用于平板显示器和建筑两大领域.最近几年,TCO薄膜的研究又进入了一次复兴时期,研究和开发出几类具有明显特色的新型TCO薄膜.ZnO基TCO薄膜有替代In2O3∶Sn薄膜的趋势;多元TCO薄膜材料可以调整其性能来满足某些特殊应用的需求;具有高载流子迁移率的In2O3∶Mo薄膜为进一步提高TCO薄膜的性能打开了一条新路;真正的p型TCO薄膜为制造透明电子元器件迈出了第一步.
透明导电薄膜 进展 transparent conductive films progress
用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟(In2O3:Mo,IMO)薄膜在可见光区域的平均透射率(含1.2 mm厚玻璃基底)超过80%,电阻率最低达1.7×10-4 Ω.cm.采用等离子振荡波长法、van-der-Pauw法和光谱拟合法等三种方法对IMO薄膜和ITO薄膜的载流子浓度进行了测量和比较,结果表明IMO薄膜的载流子浓度还不到ITO薄膜的三分之一.因此,IMO薄膜对可见光的吸收小,有很大的发展空间可以通过提高载流子浓度而进一步提高电导率,对近红外线也有较高的透射率,有利于拓展透明导电薄膜的应用领域.
透明导电薄膜 掺钼氧化铟 反应蒸发 载流子浓度 transparent conductive films molybdenum doped indium oxide reactive evaporation carrier concentration
