采用RF-PECVD法在氩环境下制备了Ge掺杂a-Si∶H。将样品通过台阶仪、傅里叶红外光谱仪、紫外可见光分光光度计以及Keithley 高阻仪进行分析测试, 研究了不同掺杂比例对非晶硅薄膜沉积速率、结构因子、光学带隙及光暗电导率的影响。实验表明: 薄膜沉积速率随掺杂量的增大而增大; 薄膜结构因子随掺杂量的增大而减小; 薄膜对可见光的吸收随掺杂量的增大出现红移, 光学带隙减小; 掺杂比例较低时, 薄膜光暗电导率变化不明显, 当GeH4量达20cm3/min时, 薄膜暗电导明显增大, 光暗电导比减小。
氢化非晶硅 锗掺杂 氩环境 a-Si∶H Ge doped PECVD PECVD Argon environment
采用射频磁控溅射法制备了用于液晶光阀光敏层的a-Si1-x(CdTe)x∶H薄膜。研究了CdTe含量对氢化非晶硅薄膜光学性能的影响。采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱(XPS)、椭偏仪等测试手段对薄膜的表面形貌、成分和光学性能进行了表征。结果表明，薄膜的折射率和吸收系数均随x值的增大而增大；而光学带隙Eopt随x值的增大从2.01eV降到1.75eV。薄膜在可见光范围内透过率随着x值的增大而有所降低，且吸收边发生红移。
射频磁控溅射 a-SiCdTe∶H薄膜 光学带隙 magnetron sputtering a-SiCdTe∶ H thin film optical band gap
采用RF-PECVD法制备了磷掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜作为太阳电池窗口层。通过椭偏仪、Keithley 4200对所制备样品进行分析测试, 研究了不同掺杂比例对非晶硅薄膜沉积速率、消光系数、折射率、光学带隙及电导率等的影响。实验表明: 薄膜沉积速率随掺杂浓度升高先减小再增大; 薄膜消光系数、折射率及禁带宽度随掺杂浓度升高呈现先减小后增大再减小的现象; 电导率则先增大后减小再增大。
磷掺杂 电导率 光学性能 phosphorus-doped a-Si∶H a-Si∶H RF-PECVD RF-PECVD conductivity optical properties
采用等离子体化学气相沉积(PECVD)法, 以高纯度硅烷(SiH4)为反应气体, 硼烷(B2H6)为掺杂气体, 在ITO玻璃衬底上制备出硼轻掺杂浓度的氢化非晶硅(aSi∶H)半导体薄膜。 测量了样品的光暗电导率、折射率、消光系数、禁带宽度随掺杂浓度的变化。结果表明: 随着硼掺杂浓度的增加, 薄膜的暗电导率先减小后增大。消光系数、禁带宽度等都随着掺杂浓度的增加而变化。在不同工艺条件下, 改变硼掺杂浓度, 确定了最佳掺杂比(光暗电导率之比最大), 制备出适合器件级轻掺杂氢化非晶硅薄膜光敏层。
氢化非晶硅 硼掺杂 电导率 折射率 PECVD PECVD hydrogenated amorphous silicon thin film doped boron conductivity refractive index
采用射频磁控溅射的方法制备了微量硼掺杂氢化非晶硅薄膜, 对样品的光电导性能进行了研究。结果表明, 不同的硼掺杂量下, 氢化非晶硅薄膜透过率随掺杂量的增加而变大, 透过率曲线截止边红移; 吸收系数随着硼掺杂量的增加而增大; 薄膜的折射率随着波长的增加而下降, 同一波长下随着掺杂量的增加而增大, 在500nm波长处折射率达到4.2以上, 最大到4.6; 薄膜的交流电阻率在微量硼掺杂下随着硼掺杂量的增加先减小后增大。
硼掺杂 射频磁控溅射 氢化非晶硅 吸收系数 折射率 light-doped Boron RF magnetron sputtering method a-Si∶H film optical absorption coefficient refractive index
采用射频磁控溅射的方法制备了用于液晶光阀光导层的氢化非晶硅薄膜, 研究了工艺参数对氢化非晶硅薄膜透过率及光电导性能的影响。结果表明, 薄膜的沉积速率随着溅射功率和衬底温度的升高呈先增加后减小的趋势, 在衬底温度为300℃, 溅射功率为300W左右沉积速率达到最大, 在溅射2h后沉积速率随着溅射时间的增加而下降; 薄膜的光吸收系数随衬底温度的升高而增大, 随溅射功率的增加而减小; 交流电导率随衬底温度和溅射功率的升高而下降; 薄膜在可见光范围内透过率随着H分压的增大而增大, 且吸收边发生蓝移。
射频磁控溅射 氢化非晶硅 光吸收系数 透过率 RF magnetron sputtering method a-Si∶H film optical absorption coefficient transmission
采用射频磁控溅射法在石英衬底上沉积了AZO和ITO透明导电膜，然后采用溶液化学法以两种导电膜为晶种分别生长ZnO纳米线。利用扫描电镜和X射线衍射等测试手段对样品进行表征，进而通过一种垂直测试结构，研究其紫外光电导特性的差异。结果表明：晶种对纳米线的生长起决定性作用，只有在结晶良好并且择优取向的AZO膜上才能生长出垂直于衬底且取向一致的ZnO纳米阵列，而在ITO膜上，ZnO纳米线的取向具有很大的随机性。AZO上垂直生长的纳米线紫外响应速度较快，且呈现良好的欧姆接触特性，但两种样品恢复时间都较长，分析认为是纳米线曝光面积不同和内部的缺陷、表面态等原因造成的。
透明导电膜 ZnO纳米线 溶液化学法 紫外光电导特性 transparent conductive films ZnO nanowires solution chemical method UV photoconductive properties
介绍了集成光隔离器近年来的研究成果, 并对其原理作了讨论, 同时还讨论了光隔离器与半导体材料实现集成的途径。
集成光学 磁光隔离器 非互易相移 晶片键合 激光与光电子学进展
2006, 43(10): 47
电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都,610054
随着光通信和光信息技术的迅速发展,介质高反射镜和窄带滤光片倍受人们关注,有机光学薄膜滤波器材料及器件将日益受到重视.采用一个低通滤波器和高通滤波器在其通带叠合处便可产生一个优良的窄带滤波器.详细介绍了几种光学薄膜器件激光反射镜、诱导透射滤光片(ITF)和微片式激光器的混合材料及制备工艺,并给出其设计方法,对批量生产将有极大的促进作用.
激光反射镜 ITF滤光片 微片式激光器 laser reflective mirror ITF filter microchip laser
1 电子科技大学,信息材料工程学院,四川,成都,610064
2 西安应用光学研究所,陕西,西安,710065
研究混合膜(TiO2+Ta2O3;Ta2O5+ZrO2)的色散规律,用Ta2O5+ZrO2和SiO2成功地镀制出两个波段(632.8nm,1.06μm)的激光反射膜,使激光破坏阈值提高5%～15%(1.06μm),膜层吸收小、机械强度增加.
激光反射膜 薄膜材料 Laser reflecting film material of thin film
