根据磁光非互易相移原理,通过分析硅基磁光波导中导波光模式对磁化强度的敏感性,提出一种CeYIG/Si-CeYIG/SiO2硅基磁光波导结构,仿真分析了其模场分布和有效折射率的磁化强度依赖关系。将两个硅基磁光波导垂直放置并分别组成两个微环谐振器,进而设计出三维磁场传感芯片,通过测量两个微环中TE和TM两种模式下微环谐振波长的移动,可获得磁化强度或磁场的大小和方向信息。研究表明,在1 550 nm波长附近,通过优化波导截面尺寸,在CeYIG饱和磁化范围内,该磁场传感芯片在其法向和切向的磁场灵敏性分别为和,谐振波长的可移动范围约为200 pm。利用平面芯片结构实现了对三维磁场的测量,对三维磁场传感器件的小型化和集成化具有一定的指导意义。

基于保偏光纤的琼斯矩阵，建立了保偏光纤线圈的Faraday非互易相移模型，利用该模型进行计算发现：线圈保偏光纤的慢轴与快轴的Faraday非互易相移大小近似相等，但符号相反。并进一步提出了偏振环行干涉型保偏光纤陀螺(PCPM-IFOG)，它能使顺时针(CW)和逆时针(CCW)光在保偏光纤线圈中沿慢和快轴分别传输一次，因此顺时针和逆时针光总的Faraday非互易相移等于0，实现了Faraday非互易相移的完全抑制。500 m保偏光纤线圈的偏振环行干涉型保偏光纤陀螺的实验结果显示其输出与地球磁场无关，而对于相同传感线圈的干涉型保偏光纤陀螺，当磁场方角发生变化时，陀螺有约± 0.3°/h的Faraday零偏漂移。

介绍了集成光隔离器近年来的研究成果, 并对其原理作了讨论, 同时还讨论了光隔离器与半导体材料实现集成的途径。