柔性电子器件主要应用于折叠手机、医疗健康监测、人工智能和太阳能电池等方面, 是当前研究的热点。针对银纳米线(AgNW)与衬底之间存在的粘附性较弱、易剥落、在空气中易氧化而使阻值变大等问题, 文章设计了一种以PDMS为柔性衬底的三层透明导电薄膜, 探究了曝光次数和氧化石墨烯不同涂覆方式对薄膜光电特性的影响。结果表明, 该导电薄膜达到了12 Ω/□的方块电阻, 透过率超过80%。在48%的拉伸情况下仍然保持着较好的导电性。

采用磁控溅射和湿法涂布技术制备了一种ITO/Ag/AgNW结构的新型复合透明导电薄膜。研究其光学、电学等性能发现: ITO/Ag/AgNW薄膜在400~700nm的平均透过率高于ITO/Ag/ITO薄膜, 且方块电阻远小于ITO/Ag/ITO薄膜, 达到6.9Ω/□; 耐弯折性能测试后, 其方块电阻约增加62%, 达11.2Ω/□。研究结果表明, 这种新型的复合透明导电薄膜具有低阻、高透及耐弯折良好的特性, 在柔性显示领域具有一定的应用潜力。

为寻求准确评估薄膜型金属网栅电磁屏蔽效能的方法,探索了薄膜型金属网栅在某频段可达到的电磁屏蔽效能.首先,分析了金属网栅膜光电特性常用的计算公式,指出电特性公式中材料无限导电的假定条件与客观事实不符,故其无法准确预估薄膜型金属网栅的电磁屏蔽效能.然后,根据屏蔽效能受感应电压和电阻比控制的理论,借鉴连续导电膜用方块电阻计算屏蔽效能的方法,提出了预估薄膜型金属网栅屏蔽效能的方法并给出了具体步骤.最后,采用激光直写工艺流程制备了薄膜型金属网栅,验证了理论计算结果与实验检测结果的一致性.检测结果显示:薄膜型金属网栅试片在30～1 500 MHz的屏蔽效能最高为30 dB;用检测方块电阻并代入连续膜经验公式计算得到的屏蔽效能为31.2 dB,用金属网栅膜常用公式计算得到的屏蔽效能为75 dB.数据显示用金属网栅膜常用电特性公式无法准确评估薄膜型金属网栅的电磁屏蔽效能,而本文所提方法便捷、准确、可行.

建立了栅格式透明导电膜透光性能的表征参量和测试方法。利用电荷耦合器件(CCD)光电成像设备的响应特性，将响应信号转换为透光率信息；求解出不同尺度面元上的平均透光率，并建立栅格线的印制宽度、线边缘粗糙度和线上平均透光率等参量；结合三维图示技术，对透光膜进行了像素级微观透光性的三维显示。对三个柔印正方形栅格透明导电膜样品的测试结果表明：由所建立方法得到的透光率与紫外分光光度计测试结果误差小于1%；由测量的栅格线宽、透光率及像素级微观透光特性，能够分析样品的透光及印刷工艺特征。所建立方法能够起到较详尽分析和表征栅格式透明导电膜光学性能的作用。

采用射频磁控溅射法在石英衬底上沉积了AZO和ITO透明导电膜，然后采用溶液化学法以两种导电膜为晶种分别生长ZnO纳米线。利用扫描电镜和X射线衍射等测试手段对样品进行表征，进而通过一种垂直测试结构，研究其紫外光电导特性的差异。结果表明：晶种对纳米线的生长起决定性作用，只有在结晶良好并且择优取向的AZO膜上才能生长出垂直于衬底且取向一致的ZnO纳米阵列，而在ITO膜上，ZnO纳米线的取向具有很大的随机性。AZO上垂直生长的纳米线紫外响应速度较快，且呈现良好的欧姆接触特性，但两种样品恢复时间都较长，分析认为是纳米线曝光面积不同和内部的缺陷、表面态等原因造成的。

为满足红外和雷达复合制导飞行器带外隐身的要求，设计了一种ZnS基底上的红外高通雷达带通的频率选择表面( FSS)组合膜。设计并分析了作为初始结构的电感性网栅薄膜，运用含阻抗边界条件的谱域Galerkin法分析了网栅膜基底上的开孔十字FSS结构，该结构谐振频点为31.75 GHz，透射率为-0.38 dB，其对应的理想导体(PEC)表面FSS的谐振频点为33 GHz；为提高此组合结构的红外透射率，运用薄膜光学理论设计了由YbF3与ZnSe两种膜料组成的红外增透膜，膜层厚度为1.085 μm。结合光刻与镀膜工艺制作了实验件，测试表明，该组合薄膜在测试雷达频段平均传输系数小于-7.51 dB（谐振频点外），在谐振频点31.5 GHz的透射率达到了-0.63 dB；在长波红外平均透射率达到了87.95%。

空间光学遥感仪器的工作光谱往往覆盖从可见到长波红外的宽光谱范围，它们是利 用数个甚至二十多个光谱通道获取信息的。因此通常需要一个覆盖全光谱的分色片将光谱一分为二，将不 同光谱分配到透射和反射光路中。通过对基片材料、膜层材料、膜系结构的设计和分析，得到可见 -红外宽光谱的两种分色方法。利用真空中的光学薄膜沉积技术，制备出了两类性能良好的可见- 红外宽光谱分色片，光谱覆盖范围0.4 m 13 m，可见光区透射率大于80%，6 m 13 m的长波红外反射率大于90%

用直流磁控溅射法制备透明导电锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜,靶材为ITO陶瓷靶,组分为m(In2O3):m(SnO2 )=9:1。运用分光光度计、四探针测试仪研究了基底温度对薄膜透过率、电阻率的影响,并用X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行结构分析。计算了晶面间距和晶粒尺寸,分析了薄膜的力学性质。实验结果表明,在实验设备条件下,直流磁控溅射ITO陶瓷靶制备ITO薄膜时,适当的基底温度(200 ℃)能在保证薄膜85％以上高可见光透过率下,获得最低的电阻率,即基底温度有个最佳值。薄膜的结晶度随着基底温度的提高而提高。

利用电子束蒸发技术在常温下制备ITO透明导电膜,在这种条件下很难得到性能良好的透明导电膜,试图通过研究快速光热退火下退火温度、退火时间对其性能的影响,致力于在低温退火工艺下改善薄膜性能.通过对退火后样品禁带宽度的计算得出随着退火温度或退火时间的增大,禁带宽度逐渐增大;对样品的微结构分析发现随着退火温度的提高或退火时间的延长,样品的微结构致密性提高,各晶向面间距和晶格常数逐渐趋于标准的晶体;但退火温度过高或退火时间过长反而不利于透明导电膜性能的提高,所以选取合适的退火温度和退火时闻是光退火下透光性和导电性都得到提升的关键.在200℃的退火温度下,退火12 min可实现样品的透光率在可见光范围内达到82%,电阻率ρ＝2.3×10-3Ω·cm.

介绍了一种新型荧光屏结构，采用透明导电膜代替传统荧光屏中的铝膜作电极．分别测试了新型荧光屏和传统荧光屏的加电特性．实验结果表明新型荧光屏具有较高的耐压性能，对提高X射线变像管的空间分辨率有重要作用，而且能延长变像管的寿命．采用透明导电膜制作荧光屏还具有工艺简单，成本低和成品率高的优点．