电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川 成都 610054
研究了石墨烯/氮化硼二维异质结增强的硅基太赫兹波光调制器。利用太赫兹波时域谱系统和实验室自主搭建的太赫兹波动态测试系统分别测试了808 nm激光对太赫兹波的静态和动态调制。当照射在太赫兹波调制器上的激光功率从0增加至500 mW时, 平均太赫兹波透过率从58%下降到13%, 静态调制深度最高达到76%(500 mW)。动态测试获得的最大调制速度为15 kHz (100 mW)。实验结果表明, 与单层石墨烯增强的硅基调制器相比, 石墨烯/氮化硼异质结可以更大地提高硅对于太赫兹波的调制深度, 并提升调制速度。
太赫兹调制器 氮化硼 石墨烯 光控 硅 terahertz modulator boron nitride graphene optically-control silicon
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川 成都 610054
该文基于超材料结构设计制造并表征了一款工作在0.34 THz频率下的太赫兹电光调制器。该调制器通过超材料结构加载电压, 从而在超材料结构开口处获得强电场用以输运恒定激光照射下硅基产生的光生载流子。通过电压调制信号调制太赫兹波, 实现了调制深度从9%增加到50%, 其调制速度达到30 kHz。
太赫兹 超材料 电光调制器 调制深度 调制速度 terahertz metamaterial electro-optic modulator modulation depth modulation speed
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川 成都 610054
该文介绍了一种窄带带通腔体滤波器的原理和设计方法, 通过加载电容原理, 使滤波器的寄生通带远离通频带, 并设计了带哑铃型横杆的谐振器结构, 在谐振器连接点形成电压驻波零点, 从而进一步抑制滤波器的寄生通带, 实现了具有宽阻带的带通腔体滤波器。最后, 利用微波仿真软件CST设计了一款中心频率为2.45 GHz, 相对带宽为4.08%的窄带带通腔体滤波器。仿真结果表明, 滤波器带外抑制高, 阻带范围宽, 通带内驻波良好, 满足设计指标要求。
宽阻带 带外抑制 窄带 带通滤波器 腔体 wide attenuation band out-of-band rejection narrowband band-pass filter cavity
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川 成都 611731
通过将三维石墨烯材料与聚二甲基硅氧烷薄膜相结合, 设计并研制了一种宽带可拉伸的太赫兹波吸收材料, 设计结构可以使三维石墨烯在聚二甲基硅氧烷层的保护下实现大幅度拉伸。实验结果表明, 该吸波材料在0.2~1.1 THz的测试范围内有最高90%的吸收率, 同时在20%的拉伸量下复合结构对太赫兹波吸收率基本保持不变, 并且在去掉外力时材料样品的结构和性能均可恢复至原始状态。可拉伸太赫兹吸波材料具有带宽大、吸收率高、加工简单以及可大面积制备等优点, 在太赫兹吸收器等领域中具有潜在的应用价值。
太赫兹 三维石墨烯 吸收特性 可拉伸性 terahertz three-dimensional graphene absorbing materials stretchability 太赫兹科学与电子信息学报
2020, 18(1): 1
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川成都 610054
提出一种硅基金字塔结构光控太赫兹波调制器。通过化学刻蚀方法在高阻硅基底形成微米级的金字塔结构, 研究该结构与高阻硅片对激光的反射率及对太赫兹的调制情况。实验表明, 金字塔结构可有效降低激光反射率, 提升激光利用率, 并且通过增加太赫兹波调制面积, 达到显著增强太赫兹波的调制效果, 其调制深度达到 90%以上。该硅基金字塔结构光控调制器可在极低的激光功率下工作, 具有宽带、大幅度调制的特点, 在太赫兹成像领域具有重要应用价值。
太赫兹波 金字塔结构 调制器 光控 terahertz wave pyramid structure modulator optically tuned 太赫兹科学与电子信息学报
2019, 17(2): 195
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054
通过硅基微结构与二氧化钒(VO2)相变薄膜相结合，设计并实现了一种电控太赫兹幅度调制器件。该调制器具有很高的太赫兹波透射率与极低的器件插损，同时具有大的工作带宽和调制深度。仿真和实验测试结果表明，该调制器对太赫兹波的增透响应带宽为0.25~0.95 THz波段。在0.4~0.85 THz频段内(约450 GHz宽带)的透射率超过80%，相较于硅衬底的透射率增加了10%以上，且透射率最高可达85%。对该器件电调控后，调制深度可达76%以上，器件透射率变化幅度可达65%。因低插损、大调制幅度以及宽工作带宽，该太赫兹调制器在太赫兹成像和通信系统中具有重要的应用价值。
太赫兹波 微米结构 调制器 VO2薄膜 绝缘体金属相变 Terahertz waves microstructure modulator VO2 thin film insulator-metal phase transition 太赫兹科学与电子信息学报
2019, 17(1): 29
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室， 成都 610054
优化设计了多种不同孔径和形状的太赫兹波段的亚波长金属孔阵列结构，结合超薄低折射率的聚酰亚胺(PI)薄膜，探索了太赫兹时域光谱技术对超薄低折射率的探测灵敏性。利用飞秒微加工技术制备了一系列亚波长金属孔阵列结构，利用太赫兹时域光谱技术测试了阵列结构的反射波谱，获得了强烈的反射共振现象。然后在亚波长金属孔阵列结构背面叠加PI薄膜，结果表明太赫兹反射峰出现了显著低频移动现象。利用这一现象，实现了低至10 μm的PI薄膜的有效探测，说明亚波长金属孔阵列结构在太赫兹传感领域对检测超薄低折射率薄膜材料有极强敏感性。
太赫兹 金属孔阵列 超薄聚酰亚胺薄膜 低折射率 terahertz metal hole arrays ultra-thin polyimide film low refractive index
电子科技大学微电子与固体电子学院磁性工程系,四川 成都 610054
用热分解法制备的Bi,Al替DyIG磁光薄膜虽然是纳米晶,但由于其晶界分布不均匀、晶粒较大且均匀性差,当用于磁光记录时,晶界将产生较大的噪音.而掺Rb的Bi,Al替DyIG磁光薄膜不仅可以降低晶化温度,而且晶粒明显细化,最大晶粒尺寸从100 nm下降到50 nm左右,平均晶粒尺寸下降为30 nm左右.并且晶粒的均匀性明显改善,掺入的Rb以Rb2O固溶体的形式存在于磁光薄膜表面,填补了薄膜表面的凹凸不平,使薄膜表面反射率增加,信噪比增大.因此掺Rb可使纳米晶Bi,Al替DyIG磁光薄膜的性能大大提高.
薄膜物理学 纳米材料 磁光材料 热分解
电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都,610054
随着光通信和光信息技术的迅速发展,介质高反射镜和窄带滤光片倍受人们关注,有机光学薄膜滤波器材料及器件将日益受到重视.采用一个低通滤波器和高通滤波器在其通带叠合处便可产生一个优良的窄带滤波器.详细介绍了几种光学薄膜器件激光反射镜、诱导透射滤光片(ITF)和微片式激光器的混合材料及制备工艺,并给出其设计方法,对批量生产将有极大的促进作用.
激光反射镜 ITF滤光片 微片式激光器 laser reflective mirror ITF filter microchip laser
电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054
光纤无源开关器件是近期光通信领域研究的热点.本文就应用于光纤开关的一种新型晶体材料进行理论分析和实验研究,确定该材料可应用于0.5～1.5 μm频域内各种光纤开关器件,其驱动脉冲电流低于4 A,脉冲宽度在5 μs左右.
光纤 磁光晶体 脉冲 fiber magneto-optical crystal pulse
