1 暨南大学光电信息与传感技术广东普通高校重点实验室，广东 广州 510632
2 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室，陕西 西安 710119
3 中国工程物理研究院应用电子学研究所，四川 绵阳 621900
4 广东工业大学广东省信息物理融合系统重点实验室，广东 广州 510006
5 季华实验室，广东 佛山 528200
太赫兹调制器作为太赫兹技术应用的重要器件之一，在太赫兹通信、成像和传感等领域具有广泛应用前景。但是目前太赫兹调制器调制深度、工作带宽、稳定性等有待提升，这制约了太赫兹技术的进一步推广与发展。基于此，设计并制备了一种新型光控砷化镓/侧边抛磨太赫兹光纤（SPTF）调制器，将砷化镓转移到太赫兹光纤抛磨区，增强太赫兹波倏逝场与砷化镓相互作用。在外置808 nm激光器照射下实现对太赫兹波幅度调制，调制深度达到97.4%。实验结果表明，这种新型的光纤调制器具有较好的光控调制效果。同时，该器件体积小、集成度高，具有广泛应用的潜力。
太赫兹调制器 侧边抛磨光纤 砷化镓 光控 调制深度 激光与光电子学进展
2023, 60(18): 1811003
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川 成都 610054
研究了石墨烯/氮化硼二维异质结增强的硅基太赫兹波光调制器。利用太赫兹波时域谱系统和实验室自主搭建的太赫兹波动态测试系统分别测试了808 nm激光对太赫兹波的静态和动态调制。当照射在太赫兹波调制器上的激光功率从0增加至500 mW时, 平均太赫兹波透过率从58%下降到13%, 静态调制深度最高达到76%(500 mW)。动态测试获得的最大调制速度为15 kHz (100 mW)。实验结果表明, 与单层石墨烯增强的硅基调制器相比, 石墨烯/氮化硼异质结可以更大地提高硅对于太赫兹波的调制深度, 并提升调制速度。
太赫兹调制器 氮化硼 石墨烯 光控 硅 terahertz modulator boron nitride graphene optically-control silicon
1 南开大学 现代光学研究所 天津市光电传感器与传感网络重点实验室, 天津 300350
2 中国科学院上海应用物理研究所 微观界面物理与探测重点实验室 物理生物学研究室, 上海 201800
研究了锗基单层石墨烯结构宽带光控太赫兹调制器。利用实验室搭建的太赫兹时域光谱系统, 实验证明了在1 550 nm 飞秒光泵浦下, 该太赫兹调制器工作带宽为0.2~1.5 THz。当泵浦光功率从0增加到250 mW时, 该太赫兹波调制器的平均透过率从40%下降到22%, 平均吸收系数从19 cm-1增加到44 cm-1, 在0.2~0.7 THz, 调制深度均高于50%, 最大调制深度为62%(0.38 THz)。实验结果表明, 相比于纯锗基太赫兹调制器, 单层石墨烯的引入能增强对太赫兹波的调制效果。
太赫兹调制器 石墨烯 光控 terahertz modulator graphene THz-TDS THz-TDS optically-control 红外与激光工程
2019, 48(1): 0125001
