武鹏程 1,2,*张君 3张立松 1,2徐明霞 1,2[ ... ]孙洵 1,2
作者单位
摘要
1 山东大学晶体材料研究院,济南 250100
2 晶体材料国家重点实验室,济南 250100
3 中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川 绵阳 621000
高功率激光系统的发展对大尺寸、高性能磷酸二氘钾(DKDP)类晶体的需求越来越大。快速生长法较传统法可大幅缩短晶体生长周期,提高晶体生长效率。但是快速生长DKDP晶体锥面区和柱面区性能存在差异,导致不同位置的性能存在不均匀性,限制其在高功率激光系统中的应用。通过合成晶体生长溶液,采用点籽晶快速生长法生长了中等口径的高氘DKDP晶体,使用透过光谱,从线性吸收角度分析了快长DKDP晶体用作电光开关和频率转换器的可行性。结合Raman光谱技术及摇摆曲线的测试方法分析了晶体氘含量和结晶质量均匀性,为大尺寸DKDP的生长和应用提供参考。
点籽晶法 磷酸二氘钾晶体 氘含量 透过率 摇摆曲线 point seeding method potassium dideuterium phosphate crystals deuterium content transmittance rocking curve 
硅酸盐学报
2023, 51(6): 1548
作者单位
摘要
中国工程物理研究院 激光聚变研究中心,四川 绵阳 621900
等离子体电极普克尔盒被广泛应用于大型激光驱动器中,用于抑制自激振荡、实现多程放大控制和反激光隔离,普克尔盒内的放电电极在长期使用过程中与腔内残余O2发生反应出现退化现象,导致稳定性下降,寿命降低。为此,提出了封离型等离子体电极普克尔盒,其放电腔内的Ne气浓度可达99.9%,漏率小于1.0×10−10 Pam3∙s−1,理论使用年限大于40年。实验表明,封离型等离子体电极普克尔盒在工作20万发次后,其放电电极依然光亮如新,时间抖动仍稳定在6.4 ns附近,稳定性有了大幅提升。
电光开关 等离子体电极 普克尔盒 气体放电 封离型开关 electro-optical switch plasma electrode Pockels cell gas discharge sealed switch 
强激光与粒子束
2023, 35(6): 062003
作者单位
摘要
中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳 621900
等离子体电极普克尔盒(PEPC)用作多程放大控制、自激振荡抑制以及反激光隔离,是大型高功率固体激光器的核心器件。本文从高功率固体激光器的发展对光开关提出的要求出发,系统地综述了等离子体电极普克尔盒的性能特点以及研究进展。重点介绍了中国工程物理研究院激光聚变研究中心近年来在PEPC研究方面所取得的进展,包括单脉冲驱动的组合口径PEPC、低损耗PEPC以及重复频率运转的PEPC。
高功率激光 普克尔盒 电光晶体 等离子体 重复频率 热效应 high power laser Pockels cell electro-optic crystal plasma repetition rate thermo-effect 
人工晶体学报
2021, 50(8): 1593
作者单位
摘要
中国工程物理研究院 激光聚变研究中心,四川 绵阳 621900
等离子体介质由于具有极高的储能密度、无光致损伤阈值和丰富的光学特性,利用它改善光束输出性能是发展高功率激光技术的一条重要技术路线。系统介绍了近年来等离子体光学的研究现状,并论述了今后等离子体光学的发展趋势。
高功率激光 等离子体光学 等离子体放大 等离子体光子晶体 high power lasers plasma optics plasma amplification plasma photonic crystal 
强激光与粒子束
2020, 32(1): 011008
作者单位
摘要
沈阳理工大学 机械工程学院, 沈阳 110159
以热电池电堆自动缠绕机为研究对象, 根据电堆缠绕的实际工艺要求, 对电堆缠绕机进行了设计, 并对缠绕机进行了静力学和动力学分析。首先对机器进行三维建模, 建立缠绕机的有限元模型, 在Workbench中对上主轴和下地板进行强度分析, 得到主轴在夹紧电堆且满足一定压力情况下的最大应力和应变值。对滑台进行动力学分析, 得出滑台的速度及加速度关系曲线。分析结构的薄弱点, 进一步对结构进行优化和改进。改进后的结构在受同等力的情况下, 应力和应变值明显减小, 能够满足工作要求。通过以上设计分析, 为热电池电堆缠绕机的设计提供了理论依据。
热电池 电堆 缠绕机 有限元分析 动力学分析 thermal battery stack winding machine finite element analysis dynamics analysis 
光电技术应用
2019, 34(2): 73
张君 1,2徐公杰 1,2蔡斌 1,2
作者单位
摘要
1 上海理工大学 上海市现代光学系统重点实验室, 上海 200093
2 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093
介绍了国内外宽频太赫兹减反增透器件的研究进展以及在基于高阻硅衬底的聚苯乙烯上用热压印法制备出的一种减反结构。利用这一减反结构制备出的减反器件的透射率比传统的结构要增加近20%,在基于高阻硅衬底的高折射率纳米复合材料(TiO2-COP)上,经热压印后的减反器件在1.02 THz处的透过率为64.9%。最后简要地介绍了太赫兹减反增透器件的实际应用。
太赫兹 复合材料 减反 热压印 高折射率 terahertz composite material anti-reflective hot deformation high refractive 
光学仪器
2016, 38(6): 549
作者单位
摘要
1 中国工程物理研究院激光聚变研究中心, 四川 绵阳 621900
2 中国工程物理研究院研究生部, 北京 100088
透明导电薄膜作电极的普克尔盒电光开关是新一代重频激光驱动系统的理想单元。高重频会在电光晶体内产生热沉积, 引起弹光效应, 热光效应和晶体形变, 使透射光束的波前产生畸变。针对能量千焦耳级, 重复频率16 Hz率的激光系统, 对薄膜电极普克尔盒采用液冷技术进行热管理; 建立普克尔盒的热分析模型, 利用有限元算法, 分别研究晶体厚度和换热系数对波前畸变的影响, 得到晶体厚度的最优值。并模拟了开关晶体上的温度分布、应力分布和机械形变, 分析热光效应、机械形变和弹光效应对光束波前和退偏损耗的影响, 结合波前畸变和退偏损耗的要求得到优化的参数。
电光开关 热管理 透明导电薄膜 高平均功率 波前畸变 退偏损耗 electro-optical switch thermal management transparent conductive films high average power wavefront distortion depolarization loss 
红外与激光工程
2016, 45(9): 0921001
作者单位
摘要
湖南师范大学生命科学学院, 湖南 长沙 410081
目的: 研究N-乙酰基-丝氨酰-天冬氨酰-赖氨酰-脯氨酸(N-acetyl-seryl-aspartly-lysyl-proline, AcSDKP)对转化生长因子β1(Transforming growth factor beta 1, TGF-β1)诱导大鼠骨髓间充质干细胞(mesenchymal stem cells, MSCs)向肌成纤维细胞(myofibroblast, MF)分化的影响, 探讨 AcSDKP抗纤维化作用的可能机制。方法: 全骨髓贴壁法分离培养大鼠骨髓MSCs。使用免疫组化, Western blotting技术分析α-SMA蛋白的表达以及Smad2/3, ERK1/2蛋白磷酸化的变化情况。结果: 和对照组相比, TGF-β1诱导的MSC中α-SMA、磷酸化-Smad2/3及磷酸化-ERK1/2的表达大大增强, 使用AcSDKP干预细胞则三者的表达量明显下降且呈一定的剂量依赖性。结论: AcSDKP可以显著抑制TGF-β1诱导的大鼠MSCs向MF分化, 可能通过抑制TGF-β/Smad/ERK1/2信号通路的激活, 从而发挥其抗器官纤维化作用。
间充质干细胞 N-乙酰基- 丝氨酰- 天门冬酰- 赖氨酰- 脯氨酸 转化生长因子β1 纤维化 MSCs AcSDKP TGF-β1 fibrosis 
激光生物学报
2016, 25(2): 142
作者单位
摘要
1 中国工程物理研究院激光聚变研究中心, 四川 绵阳 621900
2 中国工程物理研究院研究生院, 北京 100088
透明导电膜电光开关通过合理的结构设计可以实现高效的热管理,是一种理想的高平均功率开关器件。建立了透明导电薄膜电光开关的模型,采用优化的开关设计参数分析开关的时间特性和热效应。仿真结果表明,开关上升时间达到标称时间要求;在高平均功率负荷下,晶体温升所导致的退偏损耗对开关性能的影响很小。该构型的薄膜电极电光开关可以应用于重复频率运转下的高功率激光系统。
光学器件 电光开关 热管理 透明导电薄膜 高平均功率 
激光与光电子学进展
2016, 53(1): 012303
作者单位
摘要
福建农林大学生物农药与化学生物学教育部重点实验室, 福建 福州 350002
将高毒性的Cr(VI)还原成低毒的Cr(III), 是处理含Cr(VI)废水常用的方法之一。以高效还原Cr(VI)的苏云金芽胞杆菌(Bacillus thuringiensis, 简称Bt)407为研究对象, 将转座子随机突变载体pIC333转化Bt 407, 构建容量为1 500株的随机突变体库, 从中筛选出Cr(VI)还原能力极显著差异(P< 0.01)的突变株14株。通过扩增并测定转座子插入位点的侧翼序列, 确定Bt 407-Cr244突变株的转座子插入位点为细胞色素氧化酶亚单位Ⅰ。Bt 407及其14株突变株的生长曲线十分相近, 表明突变株Cr(VI)还原能力发生改变不是由菌株繁殖能力提高引起的。在培养24 h后, Bt 407-Cr149和Bt 407-Cr285培养液中的总络浓度比Bt 407极显著降低(P<0.01), 说明这2株突变株在解毒Cr(VI)过程中除了还原作用, 可能还具有生物吸附, 而其余12株突变子主要通过还原Cr(VI)起作用。
转座子突变 苏云金芽胞杆菌 Cr(VI) Cr(VI) transposon mutagenesis Bacillus thuringiensis 
激光生物学报
2013, 22(3): 230

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