对真空抽滤法进行了改进, 制备出高均匀性且只存在极少量纳米银微粒的纳米银线透明导电薄膜.将纳米银线在同一片衬底上依次进行真空抽滤和压制并重复多次, 然后对制备的透明导电薄膜的表面形貌以及透光率和方阻的分布进行了讨论.结果表明通过三次压制制备出的导电薄膜的透光率约为82.7%, 平均方阻为7.47 Ω/sq.

金属网栅和氧化铟锡(ITO)等透明导电膜是实现电磁屏蔽和可视兼容的常用材料，但其屏蔽和可见光透射率受到了很大的限制。通过解决屏蔽、导电与可视性能相互制约的矛盾，可有效提高电磁屏蔽与可视性能的兼容性。为此，报道了一种金属光子晶体透明膜。采用磁控溅射制备了ITO/Ag 为周期的金属光子晶体透明膜，研究了周期结构对样品屏蔽效能、透射率和方阻的影响。研究表明，随着单位周期金属膜厚的增加，可见光600~800 nm 波段透射率降低10%以上，可见光透射光谱变窄。同时400～600 nm 波长范围内透射率并没有随金属膜厚的增加而降低，甚至升高。随着单位周期金属膜厚增加，微波频段的屏蔽效能相应提高，方阻相应降低。实验证实：光子晶体膜的屏蔽效能与光子晶体中总金属膜厚不存在明确的因果关系，而是与“金属-电介质”的纳米周期结构相关。制备了一种屏效高达70 dB，方阻低达2.1 Ω ，透射率大于50%的光子晶体膜。

本文提出了一种石墨烯薄膜的自组装制备技术, 获得了高导电、高透明的均匀石墨烯薄膜,并对其进行了参数测试和光谱特性研究。研究表明此方法制备的石墨烯薄膜具有杂质含量少、高导电、高透明、膜厚均匀可控等优点,其平均透过率达到80%,方阻最低可达到0.2 Ω/sq,在透明电极和有机光电子学领域有重要应用前景。

主要介绍了晶体硅太阳电池光电转换效率的工艺优化，特别是对高发射结方阻方面，以及后道工序中如何使之适应高方阻工艺。在高方阻方面主要采用了深结高方阻，这主要是从工艺稳定性方面考虑。通过一系列工艺的优化及大量实验，获得了高达635 mV的开路电压，5.817 A的短路电流，均值18.67%的电池效率。

研究了扩散方块电阻及印刷栅线宽度变化对太阳电池电性能的影响，根据初步实验结果提出假设，通过进一步实验进行验证。结果表明：适当地提高扩散方阻、降低栅线宽度，有利于短路电流及效率的提升。但受限于串联电阻的增大，方阻及线宽存在一个最优值，通过Matlab软件建立模型进行模拟，求出最优解。证明了扩散方阻需要与栅线宽度很好地匹配才能达到理想的效果。

采用激光烧结厚膜电子浆料技术，在三氧化二铝陶瓷基板上制备厚膜正温度系数(PTC)热敏电阻。研究了激光工艺参数以及后续热处理温度对PTC热敏电阻线宽、形貌和性能的影响规律。激光烧结制得的厚膜PTC热敏电阻最小线宽为40 μm，电阻温度系数(TCR)可达2965×10-6/℃，其性能与传统的炉中烧结相当。 激光功率密度和后续热处理温度对PTC热敏电阻方阻和电阻温度系数影响较大，并都存在一个最佳值。