混混响室复杂强电磁环境下开展材料屏蔽效能测试是电磁防护领域的研究热点。研究边界形变互耦混响室屏蔽效能测试系统性能，开展了动态范围、电场分布特性和不确定度三个方面的试验验证，结果表明：在实际测试中，测试结果小于60 dB即为可信测试值；在1～10 GHz频段内，互耦混响室发射室的空间电场标准偏差小于3 dB，接收室的空间电场标准偏差小于2 dB，满足国际、国内相关标准要求，场均匀性良好；测试系统的扩展不确定度为5.90 dB，可以作为材料屏蔽效能测试平台使用。

微小型无人飞行器的屏蔽效能对其抗外部强电磁干扰能力有显著影响。针对微小型飞行器物理空间小、屏蔽效能难以测量的困难，提出一种基于扩比模型的等效获取方法，将原模型等比例扩大n倍得到扩比模型，利用常规屏蔽效能测试方法和测试仪器测量得到扩比模型的屏蔽效能，再根据扩比模型和原模型屏蔽效能的关系得到原模型的屏蔽效能。以巡飞弹和四旋翼无人机两种典型微小型飞行器为例进行了仿真，结果表明原模型在频率f处的屏蔽效能等于扩比模型在频率f₁=f/n处的屏蔽效能，验证了该方法的正确性。在此基础上，总结提出了基于扩比模型的等效测试流程，为微小型飞行器屏蔽效能的测试提供了一种可行的测试方法。

为了降低机载数字化设备的电磁波辐射发射强度，对数字信号的频谱进行分析，指出数字信号所包含的基波及其高频谐波是设备电磁辐射的源头；分析了屏蔽层抑制电磁辐射的机理，结果表明高电导率、非磁性屏蔽层对电场及高频磁场有很好的屏蔽效果；研究了缝隙对屏蔽体屏蔽效能的影响，提出了一种提高缝隙屏蔽效能的双层填充屏蔽方法；然后分析了电磁波通过屏蔽层时的吸收损耗，提出了一种提高双绞屏蔽电缆/同轴电缆屏蔽效能的双层屏蔽方法；最后以实际工程项目为例，该项目设备已满足GJB151B-2013 RE102要求的情况下，仍然干扰北斗设备搜星定位。对它进行电磁兼容改进，改进后实验室测量RE102项，设备电磁辐射发射强度平均降低约12 dBμV/m；外场地面及飞行实验结果表明，设备正常工作情况下，BDB1，BDB3频点的带内积分功率分别提高0.59 dBm和1.84 dBm，北斗设备收星数量由3颗及以下上升至9颗及以上，北斗设备可正常定位。

为了分析屏蔽电缆在电磁脉冲作用下的时域响应，对基于最小相位法的频域等效方法进行了研究。首先，通过建立转移阻抗测试系统的电路模型，推导系统的频域传递函数，并验证其为最小相位系统与全通系统的级联；其次，采用最小相位法，对测得的幅频曲线进行相位重构，根据推导的传递函数的零、极点分布，对重构的最小相位传递函数进行相位补偿；最后，将补偿后的传递函数与瞬态干扰信号在频域相乘后变换到时域，得到了屏蔽电缆的时域响应。仿真及实验结果验证了该方法的有效性。

在时域有限差分（FDTD）法中采用亚网格边界条件（SGBC）法对复合材料薄层结构进行建模，可以突破复合材料薄层对空间步长的限制从而大大降低计算成本。基于大规模并行化平台JASMIN实现了SGBC-FDTD算法，通过对复合材料薄层结构的自动建模和适配，实现对复合材料薄层的快速并行化处理。利用所开发的并行SGBC-FDTD算法计算分析了含不同电磁特性复合材料薄层方舱在0.1～1.0 GHz内的电磁屏蔽效能，结果表明采用并行SGBC-FDTD算法的计算结果与全波分析软件计算结果吻合完好，且计算效率显著提升。

电子设备和无线技术不断向K/Ka波段发展以及电子系统集成度的不断提高给电子系统的电磁屏蔽设计带来了严峻挑战。提出一种将频率选择表面（FSS）用于电子系统屏蔽的新方法，可以替代传统散热孔阵，在满足通风散热性能的同时确保电子系统在5G毫米波段的电磁屏蔽性能。基于金属腔中心点屏蔽效能和全局屏蔽效能，分析了FSS孔阵排布方式、电磁波极化与入射角度对金属外壳电磁屏蔽效能（SE）的影响。结果表明：FSS孔阵排布方式对金属腔屏蔽性能的影响较小，并且SE不受入射电磁波极化方式影响；含FSS通风孔阵的金属外壳在23.0～25.5 GHz范围内屏蔽效能约为30 dB，比含传统散热孔阵金属腔屏蔽效能提高15 dB。

核电磁脉冲和高功率微波等强电磁脉冲易造成电子设备功能失效甚至损毁，在实际工程实施中用金属腔体对电子设备进行屏蔽是常用的强电磁脉冲抑制手段。基于电磁仿真计算，对含矩形孔缝金属腔体的强电磁脉冲耦合特性进行了系统研究，阐述了孔缝宽长比、腔体尺寸等因素对多种不同类型强电磁脉冲（核电磁脉冲、宽带高功率微波、窄带高功率微波）作用下腔体内耦合场的影响；并以此为基础，重点分析了强电磁脉冲与含孔缝金属腔体之间的作用机制。研究结果表明：不同类型强电磁脉冲耦合信号差异明显，金属腔体对强电磁脉冲的响应是腔体谐振模式、孔缝谐振频率与强电磁脉冲共同作用的结果；当腔体谐振模式、孔缝谐振频率在强电磁脉冲的带内时，腔体内部的耦合场会出现增强效应；特别地，腔体与孔缝间的相互作用还可造成腔体与缝隙的谐振频率发生偏移。因此，在为电子设备设计金属屏蔽外壳时，应基于不同强电磁脉冲的频带范围，对腔体与孔缝的尺寸进行综合设计，抑制腔体、孔缝谐振及谐振频率偏移，提升其强电磁脉冲防护性能。

利用光刻掩模和热蒸发沉积技术制备兼容电磁屏蔽红外窗口薄膜器件，实现3~5 μm波段红外信号高效增透，且能屏蔽12~18 GHz频段的电磁波信号.通过光刻掩模和真空热蒸发沉积技术在双面抛光Si基底上制备满足要求的十字交叉对称金属网栅结构，通过离子束辅助电子束热蒸发沉积技术制备3~5 μm波段高效增透的红外膜.为进一步改善金属网栅的透射率，在周期g为550 μm，不同线宽的金属网栅薄膜上沉积红外增透膜.结果表明：通过真空式傅里叶变换红外光谱仪测试得红外膜样片在3~5 μm的峰值透射率为99.8%，平均透射率为99.3%.矢量网络分析仪测试金属网栅12~18 GHz频段的电磁屏蔽效能，得到兼容电磁屏蔽红外窗口薄膜器件在12~18 GHz频段内总体电磁屏蔽效能优于27 dB，3~5 μm红外波段的峰值透射率为86.3%，平均透射率为86.1%.金属网栅薄膜上镀制增透膜在保证电磁屏蔽效能不变（≥27 dB）的前提下，网栅光谱（透射率）提高了37.6%（网栅周期g为550 μm，线宽2a为30 μm）.屏蔽效能的改善既可以通过调整网栅的周期和线宽，也可以选择电阻率较低的基底材料实现.