利用光刻掩模和热蒸发沉积技术制备兼容电磁屏蔽红外窗口薄膜器件，实现3~5 μm波段红外信号高效增透，且能屏蔽12~18 GHz频段的电磁波信号.通过光刻掩模和真空热蒸发沉积技术在双面抛光Si基底上制备满足要求的十字交叉对称金属网栅结构，通过离子束辅助电子束热蒸发沉积技术制备3~5 μm波段高效增透的红外膜.为进一步改善金属网栅的透射率，在周期g为550 μm，不同线宽的金属网栅薄膜上沉积红外增透膜.结果表明：通过真空式傅里叶变换红外光谱仪测试得红外膜样片在3~5 μm的峰值透射率为99.8%，平均透射率为99.3%.矢量网络分析仪测试金属网栅12~18 GHz频段的电磁屏蔽效能，得到兼容电磁屏蔽红外窗口薄膜器件在12~18 GHz频段内总体电磁屏蔽效能优于27 dB，3~5 μm红外波段的峰值透射率为86.3%，平均透射率为86.1%.金属网栅薄膜上镀制增透膜在保证电磁屏蔽效能不变（≥27 dB）的前提下，网栅光谱（透射率）提高了37.6%（网栅周期g为550 μm，线宽2a为30 μm）.屏蔽效能的改善既可以通过调整网栅的周期和线宽，也可以选择电阻率较低的基底材料实现.

以SiO₂、TiO₂、YF₃为单组分材料分别制备了SiO₂/YF₃、TiO₂/YF₃复合薄膜，探究复合后膜层的光学、力学以及抗激光损伤性能的变化情况.采用双源共蒸技术，通过控制膜料蒸发时的沉积速率制备了混合摩尔比为1：1的两种氟氧化物复合薄膜，对复合膜层的折射率、消光系数、透射特性、表面形貌、粗糙度进行了测量，并研究了其抗激光损伤性能.结果表明：SiO₂/YF₃、TiO₂/YF₃复合膜层的折射率分别为1.478 7和1.864 6（波长550 nm），介于单组分材料之间（YF₃为1.493 6、SiO₂为1.465 1、TiO₂为2.048 3），且均呈现正常色散分布；ZYGO干涉测量的结果显示，SiO₂/YF₃膜层的应力值为1.9 GPa，比单组分材料SiO₂和YF₃的0.4 GPa大但粗糙度小；TiO₂/YF₃膜层的应力值为0.8 GPa，比TiO₂的3.9 GPa应力小但较YF₃大，表现出较明显的应力调节效果；SiO₂/YF₃复合薄膜的激光损伤阈值为9.2 J/cm²，相比于单组分的SiO₂提高了2.2%，较YF₃提高了39.2%；TiO₂/YF₃的激光损伤阈值为7.8 J/cm²，相比于单组分的TiO₂薄膜而言提高了85.6%，较YF₃提高了17.4%.通过双源共蒸技术沉积得到的氟氧化物复合薄膜，吸收小、膜层折射率可调；SiO₂/YF₃、TiO₂/YF₃复合膜层的抗激光损伤性能均优于单组分材料；YF₃的掺杂能够明显降低单一TiO₂材料的应力，但SiO₂/YF₃的应力大于单组分的SiO₂、YF₃薄膜.

复合薄膜因其可具有比单组份薄膜更加优异的性能而得到广泛的应用。通过以膜层的防护、催化、电学、光学以及力学性能等复合思想为切入点，阐述了通过膜层的复合掺杂旨在增强合金的抗腐蚀性，提高润滑摩擦性能，改善膜层的导电性能以及进行光学薄膜折射率和光谱吸收的调控，增强膜层的硬度及拉伸强度等机械性能的方法。对国内外的相关前沿成果进行简要介绍，并对复合薄膜的未来发展进行展望，为相关领域的研究提供参考。