采用有机化学合成法, 利用正三辛基膦(TOP)辅助的快速注入生长方法, 改进传统的制备工艺, 实现了CdSe/CdS厚壳层核壳(8.6 ML)量子点复合材料的合成制备, 并对所合成的核、核壳量子点及其复合材料的晶格结构、形貌特点与发光性质进行了XRD、TEM、SEM、UV-Vis、PL表征和红光补偿效果测试。测试结果表明, CdSe核具有立方纤锌矿晶格结构; CdSe/CdS量子点复合材料直径为45～75 μm, 呈菱形规则形貌, 且颗粒分散性良好。采用该方法, 可以提高量子产率, 产率由4%(CdSe核)升至48%(CdSe/CdS核壳量子点); 可以增强激子态发光能力, CdSe/CdS核壳量子点复合材料的荧光强度约为CdSe核的13倍。将该材料与YAG∶Ce3+黄色荧光粉组合应用, 获得了高光效(148.29 lm/W)、高显色指数(Ra为90.1, R9为97.0)的白光发光二级管, 表明按照上述方法获得的CdSe/CdS核壳量子点复合材料在白光发光二极管中深红光波段具有较好的补偿效果。