1 山东大学 晶体材料国家重点实验室,济南 250100
2 中国工程物理研究院 上海激光等离子体研究所,上海 201800
3 海军航空工程学院 基础部,山东 烟台 264001
生长方法是影响DKDP晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素。分别采用传统降温法和点籽晶快速生长法,利用同种原料从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并选取部分Ⅱ类3倍频晶片进行3倍频光损伤阈值和透过性能测试。实验表明,不同生长方法对DKDP晶体的损伤阈值以及DKDP晶体的生长速度的影响效果正好相反,即由于生长溶液过饱和度的差别,点籽晶快速生长法晶体生长速度为传统方法的10倍,但晶体损伤阈值下降了50%,且紫外波段透过性能下降明显。
DKDP晶体 损伤阈值 晶体生长 惯性约束聚变 DKDP crystal laser damage threshold crystal growth ICF
