1 中国兵器科学研究院宁波分院，宁波 315103
2 内蒙金属材料研究所，包头 014000
3 山东大学晶体材料国家重点实验室，济南 250100
本研究使用传统液相法生长了氘含量为70%的大尺寸磷酸二氘钾(DKDP)晶体，采用中子衍射技术测量了三倍频DKDP晶片内部的残余应力和微观应变，利用X射线同步辐射探测了晶体锥面和柱面的微观形貌。研究了DKDP晶体沿［100］晶向宏观残余应力和微观残余应变的分布。结果表明：传统液相法生长的DKDP晶体柱面区域的残余应力为压应力，而锥面区域的残余应力为拉应力；锥面的拉应力容易导致晶体在生长和搬运过程中开裂，与实验现象相符；传统液相法生长的DKDP晶体的残余微观应变较小，但晶体中仍存在缺陷，这些缺陷是晶体残余应力和应变存在的原因之一。该研究可指导大尺寸70%DKDP晶体工程化应用。
DKDP晶体 传统液相法 中子衍射 残余应力 微观应变 DKDP crystal traditional liquid phase method neutron diffraction residual stress micro-strain
1 山东大学 晶体材料国家重点实验室,济南 250100
2 中国工程物理研究院 上海激光等离子体研究所,上海 201800
3 海军航空工程学院 基础部,山东 烟台 264001
生长方法是影响DKDP晶体生长和光损伤阈值的一个重要因素。分别采用传统降温法和点籽晶快速生长法,利用同种原料从氘化程度为85%的溶液生长了DKDP晶体,并选取部分Ⅱ类3倍频晶片进行3倍频光损伤阈值和透过性能测试。实验表明,不同生长方法对DKDP晶体的损伤阈值以及DKDP晶体的生长速度的影响效果正好相反,即由于生长溶液过饱和度的差别,点籽晶快速生长法晶体生长速度为传统方法的10倍,但晶体损伤阈值下降了50%,且紫外波段透过性能下降明显。
DKDP晶体 损伤阈值 晶体生长 惯性约束聚变 DKDP crystal laser damage threshold crystal growth ICF
1 山东大学,晶体材料国家重点实验室,济南,250100
2 中国工程物理研究院,上海激光等离子体研究所,上海,201800
3 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
利用"点籽晶"快速生长技术生长了掺杂硫酸钾(K2SO4)的磷酸二氢钾(KDP)晶体,并对硫酸根类杂质离子对晶体的结构及光学质量的影响进行了研究.结果表明:在掺杂相对含量为50×10-6条件下,K2SO4开始对KDP晶体产生一定影响,主要表现在不同扇形区域的结构略有改变,其原因主要在于硫酸根与KDP晶体各扇形结构有关;杂质粒子对晶体透过率、单轴性没有明显影响,但是热膨胀系数增大,光损伤阈值略有降低.
KDP晶体 硫酸根 掺杂 光学质量
