在薄膜晶体管液晶显示器件(TFT-LCD)的制作过程中,Mura是一种常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质.本文结合生产工艺的实际情况,采用宏观微观检查设备Macro/Micro(M/M)、扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束测试仪(FIB)等设备进行检测分析,研究了产品开发过程中出现的Sand Mura问题.实验结果表明,Sand Mura 发生的主要原因是像素电极ITO在刻蚀过程中由于过刻发生断裂,导致在通电时该处液晶分子偏转发生异常,进而阻挡了光的透过而形成暗点;通过变更ITO薄膜的厚度及刻蚀时间等一系列措施,防止了像素电极在PVX过孔处因过刻引起的断裂,不良发生率降至0.3%,产品质量得到了很大的提高.此外,过孔设计优化方案有助于新产品开发阶段避免该不良的发生,为以后相关问题的研究奠定了一些理论基础.

为改善聚二氧乙基噻吩∶聚对苯乙烯磺酸(PEDOT∶PSS) 薄膜的光电性能, 采用共混-旋涂法在玻璃基片上分别制备出经丙三醇、山梨醇、二甲基亚砜(DMSO)掺杂的PEDOT∶PSS透明导电膜。利用X射线衍射仪(XRD), 扫描电子显微镜(SEM), 原子力显微镜(AFM), 紫外可见分光光度计及四点探针法对薄膜的微结构与性能进行了研究。实验结果表明: 不同掺杂剂的加入均未改变PEDOT∶PSS薄膜的聚集态结构, 而薄膜的表面形貌出现了明显的不同; 掺杂后薄膜电导率和透光率均有明显提高, 并且经退火后电导率随着退火温度的升高而增加; 在相同的掺杂浓度下, 掺杂山梨醇的PEDOT∶PSS薄膜表现出最好的电导率和透光率。

在真三维显示系统中, 有海量图像数据需要高速传输。为了满足数据吞吐量的需求, 数据采用多路差分总线的形式进行传输, 但是由于电路板布线的差异, 会导致数据传输的可靠性降低。本文中采用动态相位调整(DPA)技术, 保证了数据传输的可靠性和稳定性, 满足了真三维显示的需求。

固态体积式真三维显示系统的视频显示核心器件为数字微镜D4100投影系统, 文章基于D4100的视频驱动特点及接口要求, 以FPGA为核心设计了由DVI的数据接收处理至D4100投影显示系统, 包括DVI视频解码、视频输出处理、时序控制以及LVDS发送模块, 并实际设计电路板, 与D4100联合调试, 实现1024×768的图像投影显示。

用真空热蒸镀的方法制备了绿光有机电致发光器件，并对其工艺流程进行了详细的描述。器件结构为ITO/MoO3(x nm)/N,N′-diphenyl-N,N′-bis(1-naphthyl)-(1,18-biphenyl)-4,4-diamine(NPB)(40 nm)/tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)(60 nm)/LiF(1 nm)/Al(150 nm)，其中x=0，5 nm。实验中，对ITO基片进行氧等离子体表面处理，能够有效减小ITO表面的接触角。通过对器件的光电性能测试，研究了MoO3作空穴注入层对有机电致发光器件性能的影响。实验结果表明，空穴注入层MoO3的最高占据分子轨道(HOMO)能级较好的与ITO功函数匹配，降低了空穴注入势垒，提高了器件的发光亮度和效率。当外加电压小于10 V时，器件的电流密度随外加电压的增加而增加，但变化不明显；当外加电压大于10 V时，器件的电流密度明显增强，发光色度几乎不随驱动电压的改变而改变，色坐标稳定在(0.36, 0.55)附近。

研究了聚合时外加电场对聚合物稳定胆甾相液晶(PSCT)光电性能的影响。采用紫外光聚合诱导相分离法(PIPS)制备了聚合物稳定胆甾相液晶，通过改变光聚合时的外加电场频率控制聚合物网络结构，改善PSCT的光电性能。结果表明：电场频率影响聚合单体的扩散，从而影响聚合物网络形貌。聚合电场频率低，聚合单体扩散快，形成的聚合网络疏松，网孔较大，响应速度慢，关态透过率大，阈值和饱和电压小；聚合电场频率高，阻碍单体的扩散，形成的聚合物网络致密，网孔较小，响应速度快，关态透过率低，阈值电压和饱和电压大。