本文采用一种结构为Ag/MoO3/Ag的金属/氧化物/金属(M1/O/M2)叠层替代ITO作为OLED器件的阳极, 研究Ag/MoO3/Ag叠层结构变化对于OLED器件电极透过率、亮度、光谱等性能的影响。实验采用真空蒸镀方法制备了一系列器件, 器件结构为Ag/MoO3/Ag/MoO3(10 nm)/NPB(40 nm)/Alq3(60 nm)/LiF(1 nm)/Al(150 nm)。对比器件的电压-电流密度、电压-亮度、光谱特性等数据, 表明Ag/MoO3/Ag的结构为20/20/10(nm)时, 器件性能较好。在驱动电压为11 V时, 其亮度达到18 421 cd/m2, 电流效率为2.45 cd/A; 且因器件中存在微腔效应, 其EL光谱蓝移, 半高宽变窄。但考虑到530 nm处其电极透过率仅为17%, 所以经换算该器件实际发光亮度比ITO电极器件更高。该Ag/MoO3/Ag叠层阳极制作相对简单, 经优化后在顶发射和柔性OLED器件方面将具有一定的应用前景。

文章以小分子材料SimCP作为发光主体,通过溶液法制备了掺杂铱配合物FIrpic的蓝色磷光有机发光二极管,并分别从发光层的溶剂和FIrpic掺杂浓度两方面研究了其对器件发光效率和光谱特性的影响.实验结果表明,选用高沸点、低挥发性的氯苯作为溶剂制作的器件,相比以二氯甲烷作溶剂的器件,开启电压降低到只有6 V,且发光光谱的主峰位置由492 nm处转移到468 nm处,更偏蓝色;客体FIrpic掺杂浓度越小,492 nm处的发光强度越弱,而468 nm处的主峰相对增强;但浓度过小会使能量转移不充分,在400 nm处出现新的发光峰,过大则造成浓度淬灭.当SimCP∶ FIrpic比例为12∶1时,器件性能最佳,开启电压4.2 V,最大亮度3 060 cd/m2.

为改善聚二氧乙基噻吩∶聚对苯乙烯磺酸(PEDOT∶PSS) 薄膜的光电性能, 采用共混-旋涂法在玻璃基片上分别制备出经丙三醇、山梨醇、二甲基亚砜(DMSO)掺杂的PEDOT∶PSS透明导电膜。利用X射线衍射仪(XRD), 扫描电子显微镜(SEM), 原子力显微镜(AFM), 紫外可见分光光度计及四点探针法对薄膜的微结构与性能进行了研究。实验结果表明: 不同掺杂剂的加入均未改变PEDOT∶PSS薄膜的聚集态结构, 而薄膜的表面形貌出现了明显的不同; 掺杂后薄膜电导率和透光率均有明显提高, 并且经退火后电导率随着退火温度的升高而增加; 在相同的掺杂浓度下, 掺杂山梨醇的PEDOT∶PSS薄膜表现出最好的电导率和透光率。