六角铁氧体由于其具备高温下的低场磁电耦合特性, 有望应用于新型多态存储器及磁电传感器等微电子器件。利用Ti ⁴⁺离子对M型六角铁氧体BaFe₁₂O₁₉进行B位掺杂, 不仅可以调控材料的磁结构和磁学特性, 同时, Ti离子在六角铁氧体B位的不等价掺杂还可以产生相关缺陷、载流子和变价Fe离子进而改变其电学特性。本研究采用固相烧结法制备了M型六角铁氧体BaFe_12-xTi_xO₁₉ (x=0, 0.5, 1, 1.5)陶瓷, 并对其进行了性能表征和测试, 研究了B位Ti ⁴⁺掺杂对材料结构、磁学和介电特性的影响。研究结果表明, BaFe_12-xTi_xO₁₉呈现上、下自旋反平行的亚铁磁序。当Ti ⁴⁺离子掺杂量较低时, 更易取代位于上自旋格子的Fe ³⁺离子, 其磁化强度随Ti掺杂量的增加而减小; 随着Ti ⁴⁺离子掺杂量的进一步增加, 位于下自旋格子的Fe ³⁺离子也会逐渐被取代, 此时, 饱和磁化强度随掺杂量的增加而增加。此外, Ti ⁴⁺离子的引入也会使晶粒内部呈现半导性, 在晶粒/晶界处产生Maxwell-Wagner界面极化, 故而M型六角铁氧体BaFe_12-xTi_xO₁₉陶瓷会出现明显的低频介电增强并伴随着Maxwell-Wagner介电弛豫。