提高发光二极管的发光效率是当前的一个研究热点。简要介绍了从芯片技术角度提高发光二极管(LED)外量子效率的几种途径,生长分布布拉格反射层结构、制作透明衬底、衬底剥离技术、倒装芯片技术、表面粗化技术、异形芯片技术、采用光子晶体结构等。此外还介绍了发光材料、能带结构以及工艺对外量子效率的影响。
发光二极管 外量子效率 激光与光电子学进展
2007, 44(12): 61
研制了一种小功率封离型全金属结构射频(RF)CO2激光器.在750mm放电长度上获得了大于30W的稳定性优于±5%的TEM00模激光输出;光束的远场发散角小于3.5mrad.电光转换效率优于12.5%.
射频激励 CO2激光器 全金属结构 封离型
哈尔滨工业大学光电子技术研究所, 哈尔滨 150001
提出了球面反射镜的放大自发辐射(ASE)方法测量小信号增益的理论模型,给出了相应的小信号增益系数的计算公式。该公式具有精确、简洁、显函数等特点。该模型有抑制光束横向分布引起的测量误差的机制。
小信号增益系数 球面反射镜 激光介质 放大自发辐射
1 哈尔滨工业大学光电子技术研究所,哈尔滨 150001
2 哈尔滨理工大学,哈尔滨 150040
对加反射镜测量放大自发辐射方法测量小信号增益系数的物理模型作了修正。给出了修正后小信号增益系数的计算公式。测量了横向脉冲放电S2气体激光介质的小信号增益系数,最大值为0.082 cm-1。并对计算结果作了分析和讨论。
硫双原子分子 激光介质 小信号增益 物理模型
哈尔滨工业大学光电子技术研究所,哈尔滨 150001
研究了S2激光器横向脉冲放电特性.分析并解释了影响电特性的主要因素,如等离子体温度,充电电压,电容配比及紫外光预电离.
硫双原子分子 激光器 横向脉冲放电
