受外界因素影响, 机载合成孔径雷达 (SAR)的飞行航迹与理想状态相比往往存在偏差, 同时平台导航系统精确度有限, 故需要从回波数据中精确估计多普勒中心频率, 从而进行距离走动校正。多普勒中心估计误差决定了距离走动的校正精确度, 从而决定了合成孔径成像方位压缩效果, 是影响 SAR成像质量的关键。在机载太赫兹成像雷达系统中, 对运动补偿精确度的要求达到了亚毫米级, 从而对多普勒中心估计误差提出了更高的要求。传统的多普勒中心估计方法在正侧视或小斜视模式下具有良好的效果, 但在具有一定斜视角的模式下往往偏差较大。为了在多模式下有效完成太赫兹视频 SAR距离走动校正, 本文基于实测数据结果, 从传统的包络估计方法出发, 探究了一种改进包络估计的多普勒中心估计方法。通过比较, 本文所提出的改进包络估计方法在对太赫兹视频 SAR正侧视模式回波数据的多普勒中心估计上与另外两种传统方法都具有很高精确度, 但在本文所提方法扫描模式下对 97%的图像都作出了较为精确的估计, 精确度与鲁棒性明显高于另外两种传统方法。结果说明了本文所提出的多普勒中心估计方法具有更好的鲁棒性、更高的效率。这一工作有助于高频段 SAR多模式下的成像研究。

建立了三种不同结构的硅基单片式复合晶体管(由T1和T2两个晶体管构成)的二维电热模型, 研究了高功率微波对不同结构的硅基单片式复合晶体管的损伤效应的影响。获得了不同器件结构下导致复合晶体管损伤的损伤功率阈值和损伤能量阈值分别与脉宽的关系。结果表明, 当复合晶体管的总体尺寸不变而T2和T1晶体管的面积比值更大时需要更多的功率和能量来损伤器件。通过分析器件内部电场、电流密度和温度分布的变化, 得到了复合晶体管的结构对其微波损伤效应的影响规律。对比发现, 三种结构的复合晶体管的损伤点均位于T2管的发射极附近, 随着T2和T1晶体管面积比的增大, 电场、电流密度和温度在器件内部的分布将变得更加分散。此外, 在发射极处增加外接电阻Re, 研究表明损伤时间随发射极电阻的增大而增加。因此可以得出结论, 适当改变器件结构或增加外接元件可以增强器件的抗微波损伤能力。晶体管的仿真毁伤点与实验结果一致。