中国散裂中子源(CSNS)加速器主要由一台直线加速器、一台快循环加速器以及低能、高能输运线组成。针对CSNS加速器部分直流磁铁研制了一套旋转线圈测量系统。对系统的研制方案、功能、精度、完成的磁铁类型以及部分测量结果进行介绍。该系统解决了CSNS批量磁铁之间的不同中心高度、质量、有效长度、磁场强度的兼容性难题。经过测试运行, 积分场测量重复性误差好于±0.02%, 空间谐波重复性误差好于0.005%, 磁中心测量重复性误差好于±0.03 mm, 顺利完成了中国散裂中子源工程150台多种类型磁铁的检测任务。

中国散裂中子源快循环同步加速器引出系统快脉冲冲击磁铁, 由分组安装于三个真空箱内的8台磁铁组成。对冲击磁铁进行磁场仿真和结构设计, 并使用仿真软件进行优化。仿真结果表明: 磁铁中心场60%宽度内的磁场均匀性达到±0.7%, 满足物理设计要求。同时, 对两台磁铁间距大小与互感的关系进行模拟计算和分析。磁铁结构设计中, 针对原样机中出现的铁芯不能可靠固定问题, 进行修改和完善, 并且设计出了一种简单实用的多螺栓滑动支撑结构, 可使多台磁铁平稳推入真空箱内, 同时完成多台磁铁的准直和固定。

为了提高非晶硅薄膜电池的转换效率和稳定性，采用纳秒紫外激光进行透明导电薄膜制绒，改变激光工艺参数，研究激光功率密度、重复频率、刻蚀速度和填充间距对透明导电薄膜电学、光学和晶体结构特性的影响；并根据不同制绒方式制备电池，比较其输出性能。实验结果证明：当激光功率密度P=0.85×105 W/cm2，刻蚀速度v=600 mm/s，重复频率f=50 kHz，填充间距Δd=0.012 mm时，获得薄膜方块电阻较小，陷光效果良好的绒面结构，有效地增强了电池吸收率，提高了电池的转换效率。

为提高电池的光电转换效率, 通过改善激光刻蚀工艺, 采用355 nm紫外纳秒激光分别进行了ZnO：Al薄膜(AZO)刻蚀(P1)、非晶硅薄膜(α-Si)刻蚀(P2)和背电极刻蚀(P3)研究。采用万用表测量P1隔离电阻, 采用电子扫描显微镜(SEM)和三维激光扫描仪测量刻槽的微结构和三维成像, 激光拉曼散射光谱检测非晶硅薄膜刻蚀边缘的晶化。实验结果表明, 当刻蚀速度600 mm/s, 重复频率40 kHz, 功率1.74 W的紫外激光刻蚀ZnO：Al薄膜时, 刻槽的隔离效果最佳, 达20 MΩ；紫外激光刻蚀能够有效地减小激光热效应引起的热影响和刻槽边缘的晶化范围, 提高非晶硅薄膜电池的性能。

激光器的打标速度、频率、填充间隔、电流、离焦量等工艺参数直接影响空气开关的打标效果。实验根据5因素4水平正交表L16(45)改变激光工艺参数，利用分光测色计和二维码扫描器对激光标记分别进行色差和读码率的测量，通过正交分析法和极差法研究激光工艺参数对打标效果的影响。研究表明：色差与读码率的数据趋于正比关系，并且存在一个阈值色差；当激光参数的速度为1 000 mm/s、频率为20~30 kHz、填充间隔为0.04 mm、电流为28 A、离焦量为-1 mm时，在空气开关上打标出点密度合适、色差对比度高、易于读取的二维码。