无论是在微机电系统（MEMS）还是集成电路（IC）领域, SU-8厚胶光刻已经成为制造高深宽比结构的主流工艺。为了取代昂贵而耗时的光刻实验, 一套能够良好预测显影形貌, 从而为优化光刻制造提供有效帮助的光刻仿真软件就成为必要而有价值的工具。基于严格电磁场波导法的理论, 给出一种针对SU-8光刻胶在紫外光下的三维光刻仿真模型。利用该模型, 能很好地预测显影后的光刻胶内光强分布和立体形貌。并完成了一系列仿真和实验结果来验证模型的有效性。仿真结果给出横截面光强分布图和显影立体形貌模拟图形, 并与相应的实验结果进行对照。结果验证了本文提出的仿真模型的正确性, 并且表明三维混合模型在保证精确性的前提下, 较之其他仿真算法运算速度更快。

光学光刻技术已广泛应用于微电子机械系统(MEMS)以及集成电路(IC)领域。由于光刻工艺设备的价格十分昂贵, 因此利用光刻仿真这一技术来预期工艺结果并优化工艺中存在的问题就显得很有必要。研究了一种基于严格电磁场模型的求解方法——波导方法, 并将此方法拓展应用于模拟MEMS领域中的厚胶曝光场景。通过这一模型, 可以模拟光刻胶内部的光强分布, 并进一步预测出显影后的光刻胶形貌。最后, 针对某些特定掩模版结构, 给出它们的仿真结果并验证其正确性。